MMBF170LT1G场效应管参数-MMBF170LT1GMOS管

一、产品特征

MMBF170LT1G场效应管是一种备受瞩目的电子元件，其基本特点、市场地位与在电子元件行业功效已成为方案工程师、技术人员和制造企业买家优选。

MMBF170LT1G场效应管的基本特点包含出色的性能、稳定性和可靠性。作为一种N沟场效应管，它具有良好的漏源电压(Vdss)：60V，持续漏极电流(Id)：250mA，功率(Pd)：300mW，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8Ω@10V,200mA。这些特性促进其在电子元件行业占有重要地位。

二、技术规格参数

对MMBF170LT1G性能参数的详细解读是了解其性能的关键。N沟场效应管的技术参数包含走电电压(Vdss)：60V，持续漏极电流(Id)：250mA，功率(Pd)：300mW，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8Ω@10V,200mA。这些参数不仅取决于它在电路中的表现，还显示了在电源管理系统、信号放大电路等应用场景里的出色表现。

三、工作原理及应用

1. 工作原理

MMBF170LT1G场效应管的工作原理是基于其N沟场效应构造。在正常工作状态下，根据调节栅极电压，可以准确操纵栅极与漏极间的电场，从而调节漏源电压和电流流动。当网格电压变化时，电子在N沟道移动，危害沟道的导电性和漏源电流。这类电场调节系统使其变成电子电路中信号调节和放大的重要构成部分。

2. 实际应用场景

电源管理系统的使用

在电源管理系统中，MMBF170LT1G场效应管广泛用于电源开关电路中。根据调节栅极电压，可以准确控制电源，实现高效能耗管理。比如，在便携式设备中，它可作为电源开关，帮助实现电池节能，提升使用期限。

信号放大电路

MMBF170LT1G在信号放大电路中的运用是另一个亮点。在信号增强器中配备它可以准确操纵键入信号的放大倍数，提升信号品质。在音频放大电路中，它适合于调节声音，以保证导出信号的清晰度和稳定性。

通过这些具体应用案例，我们不仅可以掌握MMBF170LT1G场效应管工作原理，还能够深入了解它在电子领域的实际应用价值。其稳定性与可特性使之成为各种电子设备中不可缺少的组成部分之一。

四、结论

总之，兆信半导体（MXsemi）的MMBF170LT1G场效应管因其出色的性能和广泛应用，已成为电子元件行业的关键构成部分。处理方案工程师、技术人员和制造企业的顾客以及对特点和性能参数了解也有利于更好地挑选与应用该部件。通过本文的相关内容，读者可以深入了解它的产品特点、技术规格以及实际应用中其价值。

兆信半导体（MXsemi）专注于高品质电子元器件的制造，包括二极管、三极管、MOS管、ESD管、LDO管等。兆信工厂直销的模式能为客户节省高达20%的成本，产品已被上万家电路及电器制造企业信赖使用。

公司传承于世界先进的设计理念，汇集了一支拥有近30年经验的工程师团队，倾力打造独具匠心的Mxsemi品牌。若您在物料选型、国产替代或方案优化上需要技术支持，欢迎通过以下方式与兆信联系。

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