FQD13N10TM场效应管参数-FQD13N10TMMOS管

一、产品特征

FQD13N10TM场效应管做为电子元件领域的重要组成部分，在市场中占有重要地位。其基本特性和稳定性在各类电子设备中得到广泛应用。FQD13N10TM因其稳定性和特性而著称，被称作电子产业不可或缺的一部分。

二、技术规格参数

FQD13N10TM参数详细解读如下：该器件为N沟道场效应管，具有最大漏源电压(Vds)为100V，最大漏极电流(Id)为18A，导通电阻(RDS(ON))为115mΩ@10V, 121mΩ@4.5V，最大栅极-源极电压(Vgs)为±20V，阈值电压(Vth)为1.6V。采用TO252封装，具有良好的散热性能和稳定性，适用于各种电子应用场合。

三、工作原理及应用

1. 工作原理
FQD13N10TM场效应管的工作原理基于N沟道场效应管的基本原理。当栅极施加一定的电压时，形成电场，控制沟道中的载流子数量，从而调节沟道的电阻，实现对电路的控制。

2. 实际应用场景
① 电源管理电路：FQD13N10TM常用于电源管理电路中的开关控制器，如DC-DC变换器和开关电源。其低导通电阻和高耐压特性使其在高功率电源管理中得到广泛应用。

② 电机驱动器：在电机控制领域，FQD13N10TM可用作电机驱动器中的功率开关器件，用于控制电机的启停和速度调节。其高电流和低导通电阻特性确保了电机的稳定性和高效性。

四、结论

总之，兆信半导体（MXsemi）的FQD13N10TM场效应管做为电子元件领域的重要组成部分，在各类电子设备中起着重要作用。

兆信半导体（MXsemi）专注于高品质电子元器件的制造，包括二极管、三极管、MOS管、ESD管、LDO管等。兆信工厂直销的模式能为客户节省高达20%的成本，产品已被上万家电路及电器制造企业信赖使用。

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