IRFR4104TRPBF场效应管参数-IRFR4104TRPBFMOS管

一、产品特征

IRFR4104TRPBF场效应管是一款N沟道MOSFET，具有出色的性能和可靠性。其在市场上拥有稳固的地位，被广泛应用于各种电子元件领域。IRFR4104TRPBF在电源管理、电机控制、逆变器等方面发挥着重要作用，为电子产品的性能提升和功耗优化做出了重要贡献。

二、技术规格参数
IRFR4104TRPBF的关键技术参数为：N沟道漏源电压（Vdss）为40V，连续漏极电流（Id）为85A，导通电阻（RDS(on)）在10V下为5mΩ，85A。这些参数表明了IRFR4104TRPBF在高电流、低电压下的出色性能。此外，IRFR4104TRPBF采用TO-252封装，具有良好的散热性能和封装强度，适用于各种工作环境。

三、工作原理及应用

1.工作原理
IRFR4104TRPBF场效应管的工作原理是基于电场效应的调节机制。其N沟道结构使得电子在电场作用下能够自由通行，从而实现了管子的导通和截止。

2. 实际应用场景
应用电路： IRFR4104TRPBF广泛应用于各种电子电路中，如电源开关、逆变器、电机驱动器等。在电源开关电路中，IRFR4104TRPBF能够提供快速的开关速度和低导通电阻，从而实现高效能源转换。在逆变器电路中，IRFR4104TRPBF能够有效地控制功率流动，实现电能的转换和调节。

四、结论

总之，兆信半导体（MXsemi）的IRFR4104TRPBF场效应管作为一款性能卓越的MOS管，在电子元件领域具有重要地位和广泛应用前景。其稳定的性能参数和可靠的工作原理，使其成为方案工程师、技术人员和制造企业采购的首选。

兆信半导体（MXsemi）专注于高品质电子元器件的制造，包括二极管、三极管、MOS管、ESD管、LDO管等。兆信工厂直销的模式能为客户节省高达20%的成本，产品已被上万家电路及电器制造企业信赖使用。

公司传承于世界先进的设计理念，汇集了一支拥有近30年经验的工程师团队，倾力打造独具匠心的Mxsemi品牌。若您在物料选型、国产替代或方案优化上需要技术支持，欢迎通过以下方式与兆信联系。

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