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SI1032R-T1-GE3是一款高端N沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-523封装设计，适用于空间有限的应用场景。器件特点鲜明，具有20V的VDSS电压，可承载0.8A连续电流ID，而其优异的导通电阻RD(on)低至180mR，确保了高效能和低功耗运行。此款MOS管适用于电源转换、电池管理系统、消费电子等多种领域，是提升系统性能、优化能源利用的理想半导体器件选择。
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