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Si2323DS-T1-GE3是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代微小电子设备设计。主要参数包括最大工作电压VDSS为20V，能稳定传输5A的漏极电流；导通电阻RD(on)仅为30mΩ，有效降低能耗，提高系统效能。广泛应用在电源管理、负载开关、电池保护等多个领域，是您追求高集成度与节能效果的理想MOS管选择。
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