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DMN2053UW是一款采用小型SOT-323封装的高性能N沟道MOSFET，特别适用于对空间要求严格的电子设计。它具备20V的最大漏源电压(VDSS)，能稳定承载2A的连续漏极电流(ID)，并且拥有49mΩ的低导通电阻(RD(on))，有效确保了低功耗和高能效表现。这款MOS管广泛应用于手持设备、电源控制模块、逻辑开关电路等场景，是小型化、节能型电子设备的理想半导体组件。
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