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CSD25402Q3AP沟道MOS管采用精巧DFN3X3-8L封装，实现高效空间利用。本器件具备20V的额定电压VDSS，能够承受高达48A的连续漏极电流ID，彰显出超强的电流处理能力。其核心优势在于超低导通电阻RD(on)仅为7.5mΩ，显著提升系统能效，减小功率损耗。这款MOS管广泛适用于电源切换、电池保护等多种应用场景，凭借卓越的性能表现与紧凑封装设计，CSD25402Q3A成为了高功率密度应用的理想半导体选择。
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