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SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3参数|SI2301CDS-T1-GE3工作原理|SI2301CDS-T1-GE3规格书|兆信MOS管

SI2301CDS-T1-GE3是一款高性能P沟道MOSFET,采用紧凑型SOT-23封装技术,专为低功耗及高集成度设计。其关键特性包括工作电压VDSS高达20V,可承载2.3A连续漏极电流,提供出色的电力管理能力。导通电阻RD(on)仅为95mR,有效减少能源消耗,提升系统能效。SI2301CDS-T1-GE3MOS管凭借卓越的开关性能、小巧封装尺寸及高稳定性,广泛应用于电源开关控制、电池保护、便携式电子设备等多元化场景,是您优化电路设计的理想半导体元件。

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