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DMG2301L是一款高效能P沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装形式，特别适合低功耗和紧凑型电子设计。产品关键特性包括耐压等级VDSS高达20V，可承载2.3A的连续漏极电流，展现了卓越的电流处理能力。其导通电阻RD(on)低至95mR，有效降低功耗并提升系统能效。DMG2301LMOS管凭借其出色的开关性能、小巧尺寸以及稳定的运行表现，广泛应用于电源切换、电池保护、便携式设备电路设计等领域，是您设计中的理想半导体元件选择。
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