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Si2302CDS-T1-GE3

Si2302CDS-T1-GE3参数|Si2302CDS-T1-GE3工作原理|Si2302CDS-T1-GE3规格书|兆信MOS管

Si2302CDS-T1-GE3型号MOS管采用微型SOT-23封装,内置先进N沟道技术,专为优化电路效率而生。该器件工作在20V的漏源电压(VDSS)下,可承载最大2.3A的连续漏极电流(ID),适合于中小功率应用场合。尤为突出的是其48mR的低导通电阻(RD(on)),有效减少功率损耗,提升系统效能。广泛应用于电源转换、负载开关控制及低压电子设备的开关电路中,是您提升产品性能与节能效果的理想半导体元件选择。

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