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DMN2004TK是一款采用精巧SOT-523封装工艺的高品质N沟道MOSFET。该器件具有卓越的耐压性能，VDSS高达20V，并提供强大的电流承载能力，最大连续电流可达ID0.8A。其优异的导通电阻仅为100mΩ，显著降低功耗并提高转换效率。此款MOS管特别适用于空间有限的电子设备，如充电器、电源管理模块和消费类电子产品中，作为理想的开关元件或负载驱动组件。
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