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AO3493是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为低电压、低功耗应用设计。该器件具有20V的最大漏源电压VDSS，可持续提供3A的漏极电流ID，保证在低压系统中稳定工作。其导通电阻RD(on)为60mΩ，有效降低功率损耗，提高能源利用效率。AO3493MOS管广泛应用于电池管理、电源开关、负载驱动等场景，凭借其出色的电气性能和小型封装，成为现代便携式和嵌入式电子设备的理想选择。
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