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Si2329DS-T1-GE3是一款P沟道MOSFET，采用经济高效的SOT-23封装，适合各类紧凑型电路设计。该器件亮点在于具备20V的最大工作电压VDSS，可稳定输出5A的漏极电流；并且拥有30mΩ的低导通电阻RD(on)，确保了更低的功率损耗和更高的系统效率。广泛应用于电源转换、负载开关、电池保护等相关领域，是您在设计高集成度和节能方案时的理想MOS管器件选择。
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