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NDS0610

NDS0610参数|NDS0610工作原理|NDS0610规格书|兆信MOS管

NDS0610P沟道MOSFET采用流行的SOT-23封装形式,针对空间受限和高效率电路设计。该器件具有60V的漏源击穿电压(VDSS),能在160mR(RD(on))的低导通电阻下,稳定地处理2A的漏极电流(ID)。适用于电池保护、电源切换和负载驱动等应用场合,这款MOS管以强大的电压承载能力和精确的电流控制优势,助力提升您的电路性能与可靠性。

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