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ST2300N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23-3L封装，专为高效率和小型化电路设计。该器件具有20V的漏源电压(VDSS)，在18mR的超低导通电阻(RD(on))条件下，可承载最大6A的漏极电流(ID)。适用于开关电源转换、电机驱动、负载开关等应用领域，ST2300凭借其强大的电流处理能力和优秀的能效表现，成为您优化系统性能的理想半导体元件。
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