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DMG3418LN沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装技术，为现代电路设计提供了高功率密度解决方案。这款器件具备30V的高额定漏源电压(VDSS)，并可在导通状态下轻松驾驭高达5.8A的漏极电流(ID)，同时展现出令人称赞的低导通电阻，仅为28mR(RD(on))，确保了卓越的能效表现。DMG3418LMOS管广泛应用于开关电源、高速电机驱动以及众多高性能电子系统中，是您构建强大而又节能的电路系统的得力助手。
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