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MVGSF1N02LN沟道MOSFET采用节省空间的SOT-23-3L封装，特别适用于紧凑型电路设计。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达2.3A的连续漏极电流(ID)，并且在导通状态下呈现出仅为48mR的低导通电阻(RD(on))，从而保证了高效的电能转化和较低的功率损耗。这款MOS管广泛运用于开关电源、电机驱动、智能设备等多种领域，是优化系统性能和节能减排的理想半导体元件。
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