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DMN2230UMOS管是一款高品质N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装设计，特别适合于紧凑型电路板布局。器件的核心参数优越，拥有20V的最大漏源电压VDSS，以及2.3A的连续漏极电流ID，保证在高电压下仍能实现大电流稳定传输。此外，该MOS管具备超低的导通电阻RD(on)仅48mR，大大降低了功耗，提高了能源利用率，是电源转换、马达控制和其他高效能电子应用的理想之选。
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