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DMN62D0U是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，适用于空间有限的设计项目。该器件拥有60V的高额定电压VDSS，以及最大0.3A的连续漏极电流ID，同时具有出色的导通性能，导通电阻低至1000mR，有效降低功率损耗并提升系统效率。适用于各类电源转换、负载开关及电机驱动等应用场景，是您电路设计的理想选择。
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