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Si2307BDS-T1-GE3MOS管是一款采用SOT-23封装的高性能P沟道MOSFET，专为紧凑型电子设计打造。该器件具有30V的高额定电压VDSS和高达4.1A的连续电流ID，能够在中高功率应用中展现稳定性能。其导通电阻低至48mR，有效提高能源利用效率。广泛应用于电源管理、电池保护电路以及各类负载驱动场合，是实现高能效系统控制的理想半导体元件。
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