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DMN3051L是一款N沟道MOSFET，采用小巧的SOT-23封装形式，适宜紧凑型电路布局需求。其关键参数包括30V的最大漏源电压(VDSS)，可稳定承载4A的连续漏极电流(ID)，充分满足中高功率应用场景。独特之处在于其29mΩ的低导通电阻(RD(on))，有助于提高系统效率，减少能耗损失。DMN3051LMOS管以其优良的电气性能，广泛应用于电源转换、负载开关及各种便携式电子设备的电路设计中。
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