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MGSF1N03LT1是一款高品质N沟道MOSFET，采用节省空间的SOT-23封装形式，尤其适合现代紧凑型电路设计。器件具有30V的VDSS耐压值，能够承受4A的连续漏极电流，表现卓越。其突出特点是仅29mΩ的超低导通电阻RD(on)，有效提高系统能效，降低损耗。此款MOS管适用于多种场景如电源转换、负载开关控制等，以其高性能与节能特性成为众多电子设计的理想元件选择。
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