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PMV40UN2RN沟道MOS管采用节省空间的SOT-23封装,专为优化电路布局而设计。器件支持最大30V的漏源极电压(VDSS),具备5A的强大连续漏极电流(ID)处理能力,适用于多种中高功率应用场合。其亮点在于拥有33mΩ的低导通电阻(RD(on)),显著降低功耗,提升能效表现。这款MOS管广泛应用在电源管理、电池保护、以及其他需要高效能、小体积半导体解决方案的领域。
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