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DMN3730UN沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为高效、节省空间的设计方案打造。该器件拥有卓越性能，额定电压VDSS高达30V，连续漏极电流ID达5A，充分满足高功率应用需求。其亮点在于仅为33mΩ的超低导通电阻RD(on)，有助于减少能量损耗并提升整体效能，是电源转换、电机驱动等领域的优质半导体解决方案。
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