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IRFH8324PbF型号N沟道MOS管，采用先进的DFN5X6-8L封装形式，结合了高效散热与小型化特点。器件额定电压VDSS为30V，支持高达120A的连续电流ID，展现了卓越的功率处理能力。其低至3.5mR的导通电阻，有效提升了能源转换效率，减少了系统损耗。广泛应用在快速充电设备、大电流开关电源等领域，出厂前历经严格质量测试，确保在各类苛刻环境中提供稳定、高效的性能输出。
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