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FDMC7680是一款高性能N沟道MOSFET，采用超小型DFN3X3-8L封装，专为高密度电路板设计。其关键特性包括30V的最大漏源电压(VDSS)，并能在苛刻条件下提供惊人的60A连续漏极电流(ID)，展现了强大的电力处理能力。更值得关注的是，其导通电阻仅为6mΩ(RD(on))，确保了在大电流传输时依然保持较低的功率损耗。此款MOS管广泛应用在电源转换、快速充电技术、大电流开关电路等领域，是工程师追求高效能设计的理想之选。
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