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二极管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
SOP-8
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
FDS6679AZ,FDS6679AZ参数,FDS6679AZ工作原理,FDS6679AZ规格书,兆信,MXsemi,MOS管,场效应管
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统,提供单通道高效保护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力,有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路安全稳定。其15pF结电容设计,在保障高速信号线路不受干扰的同时,为现代电子设备提供卓越的静电防护性能。
SOT-23
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-23封装单向ESD静电防护二极管采用双通道设计,具备24V高耐压VRWM特性,有效防止过电压损坏。器件每通道可承载瞬态峰值电流IPP高达6A,并具有低至25pF的结电容CJ,确保在提供强大防静电保护的同时保持信号传输质量,尤其适合于高速双通道接口的静电防护需求。
SOP-8
MXsemi
二极管
2500个/圆盘
这款SOP-8封装单向ESD静电防护二极管,专为2.8V系统提供高效四通道保护。每通道能承受高达20A的峰值脉冲电流IPP,有效防止单向静电放电对电路造成损坏。器件结电容低至3pF,确保在高速数据接口上保持出色的信号完整性,是现代多线ESD防护需求的理想解决方案,适用于高集成度和高性能电子设备。
SMC(DO-214AB)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SMC封装双向TVS瞬态抑制二极管适用于64V工作电压系统,提供全面的正负向过压防护。具备14.6A峰值脉冲电流处理能力,在遭遇双向瞬态电压时迅速响应并有效箝位至安全水平,确保敏感电子设备免受瞬态浪涌冲击损害,是高稳定性和高效能电路保护的理想选择。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,适用于33V系统,提供卓越的正负向过电压保护。具备3.8A峰值脉冲电流承载能力,能在电路中快速响应并钳位瞬态高压波动,有效抵御浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成的损害,是高电压环境下的电源线及信号接口的理想防护组件。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管,适用于6.5V系统的高效过电压保护。具有卓越的峰值脉冲电流IPP能力(高达17.9A),可快速响应并吸收电路中的正向瞬态过电压,有效防止浪涌和瞬态事件对电子设备造成的损害,是电源线、信号接口的理想防护选择。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
高性能单向TVS瞬态抑制二极管,采用紧凑型SOD-123FL封装设计,特别适用于高功率瞬态事件防护。此器件具有6V的稳定反向工作电压VRWM,能够承受高达19.4A的单向峰值脉冲电流IPP,快速响应并钳位过电压,有效保护电路免受浪涌、瞬态干扰及静电放电造成的损害,在严苛环境下确保电子设备安全稳定运行。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管,专为9V系统提供卓越过压保护。具备高耐受性,能在高达13A的单向峰值脉冲电流下工作,快速响应并吸收电路中瞬态电压浪涌,有效防止过电压对电子设备造成损害。适用于电源线、信号线接口等场合,确保系统稳定性和可靠性。SOD-123FL
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,专为10V系统设计,提供高效的过电压保护。具备出色的双向峰值脉冲电流IPP能力(高达11.8A),可快速响应并有效钳位正负向瞬态电压,防止因浪涌、静电放电导致的电路损伤,适用于各类接口和电源线的瞬态防护需求。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
此款SOD-123FL封装的双向TVS瞬态抑制二极管,适用于24V系统,提供卓越正负向过电压保护。具备5.1A峰值脉冲电流承载能力,可快速响应并有效钳位电路中的瞬态电压波动,防止浪涌、静电放电等瞬态事件对电子设备造成冲击损害,是中高电压应用场合电源线及信号接口的理想防护解决方案。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
该款SOD-123FL封装单向TVS瞬态抑制二极管,适用于30V系统,提供高效的正向过电压保护。具备4.1A峰值脉冲电流承受能力,在电路遭受正向瞬态高压时能迅速响应并钳位,有效防止浪涌和瞬态事件对电子设备造成损害,是高电压环境下的电源线、信号接口的理想防护器件。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
本款SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管,适用于各类高电压系统防护。具有16V反向工作电压VRWM及卓越的7.7A峰值脉冲电流IPP能力,能在瞬间吸收并钳位过高的瞬态电压,有效保护电路免受浪涌、瞬变和ESD冲击损害,是电源线、信号线接口的理想防雷击与过压解决方案。
SOD-123FL
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
紧凑型SOD-123FL封装的单向TVS瞬态抑制二极管,专为高能效防护打造。具有7V额定反向工作电压VRWM,及强大的16.7A峰值脉冲电流IPP承载能力,能在瞬间响应并吸收电路中的过压冲击和浪涌,确保电子设备免受瞬态事件损坏,适用于各类接口、电源线的高效过电压保护应用。
DFN0603-2L
MXsemi
二极管
15000个/圆盘
这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道应用设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压损害。器件能承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并且拥有超低结电容CJ仅为0.35pF,确保在提供卓越ESD保护的同时保持高速信号线路的绝佳完整性,是小型化、高性能接口的理想防静电组件。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装的单向ESD静电防护二极管,专为高速I/O端口设计,提供3.3V额定反向工作电压保护。具备卓越瞬态响应能力,峰值脉冲电流可达11.2A,有效抵御ESD冲击。尽管结电容为105pF,但依旧保持了良好的信号完整性,尤其适用于需要高性能单通道ESD防护的现代高速数据接口应用。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装的Bi双向TVS瞬态抑制二极管,特别适用于中等电压应用。具备28V稳定的双向反向工作电压VRWM,在正负瞬态过压情况下可承受高达13.3A的峰值脉冲电流IPP,提供快速响应及高效钳位功能,有效保护电路不受雷击、静电放电等瞬态事件影响,是电源线和信号线的理想双向浪涌防护选择。
SOT-363
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOT-363封装单向ESD静电防护二极管,采用独特的4+1通道设计,具有5V工作电压耐受值VRWM,有效防止过电压冲击。器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP高达4A,并配备超低结电容CJ仅0.6pF,在确保卓越多通道ESD防护的同时,最大程度保持高速信号传输的完整性,是现代高集成系统理想的防静电解决方案。
SMB(DO-214AA)
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SMB封装Bi双向TVS瞬态抑制二极管专为16V系统设计,具备卓越的双向过压保护功能。能在正负瞬态情况下承受高达23.1A峰值脉冲电流,快速响应并准确钳位电压波动,有效抵御雷击、静电等瞬态事件对电子设备造成的损害,是中低电压环境的理想双向浪涌防护组件。
SOD-523
MXsemi
二极管
3000个/圆盘
这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管,专为3.3V系统提供卓越的瞬态保护。其1通道设计能有效抑制单方向静电放电,峰值脉冲电流IPP高达11.2A,确保在遭受高强度ESD冲击时仍能可靠工作。器件结电容低至105pF,有助于保持信号质量,尤其适用于高速数据接口的静电防护需求,是现代电子设备抗ESD干扰的理想选择。
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统,提供单通道高效防静电保护。器件能承受4A峰值脉冲电流IPP,有效抑制双向瞬态ESD事件,确保电路安全。其超低结电容0.35pF设计尤为适合高速数据接口应用,保障信号完整性的同时实现卓越的ESD防护性能。
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于12V系统,提供单通道高效保护。具备8A峰值脉冲电流IPP能力,能有效抵御双向瞬态ESD冲击,确保电路安全稳定。其结电容低至6.5pF,特别适合高速数据传输接口,兼具出色的信号完整性与卓越的静电放电防护性能。
SOD-923
MXsemi
二极管
8000个/圆盘
这款SOD-923封装的双向ESD静电防护二极管,专为单通道高速接口设计。具有3.3V的高精度VRWM耐压值,可有效防止过电压损坏。器件提供高达9A的瞬态峰值电流IPP保护,并且拥有低至15pF的结电容CJ,确保在严苛条件下仍能保持信号完整性,是高速数据传输线路的理想ESD防護选择。
DFN1006-2L
MXsemi
二极管
10000个/圆盘
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统,提供单通道保护。具备2.5A峰值脉冲电流IPP能力,有效对抗双向瞬态ESD冲击。其低至2.5pF的结电容确保在高速信号传输中保持优异信号完整性,是小型化电子设备和高要求接口的理想选择,提供强大的静电防护功能。
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