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场效应管(MOSFET)
型号
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品牌
分类
圆盘信息
描述
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
IRF7313PbF是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用标准SOP-8封装,专为现代高功率密度电子设计提供强大支持。器件特性卓越最大工作电压VDSS高达30V,可承载6A连续漏极电流,确保强大电流处理能力;其超低导通电阻RD(on)仅为25mΩ,有效降低功耗,提升系统效率。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,是您实现高效、节能设计的理想MOS管器件选择。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NTTFS4824N型号N沟道MOS管,采用DFN3X3-8L封装,结合小型化与高效散热特性,特别适合高密度电路板设计。器件提供30V的额定电压VDSS,支持最大100A连续电流ID,展现了强大的电力传输性能。尤为突出的是,其导通电阻低至4mR,有效提高系统效率,减少功耗。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
CSD17578Q3AN沟道MOSFET采用先进的DFN3X3-8L封装技术,实现小型化与高效散热的完美结合。该器件性能卓越,具有30V的最大漏源电压(VDSS),支持高达60A的连续工作电流,其导通电阻(RD(on))低至6mΩ,确保了出色的能效比和低功耗表现。广泛应用在电源转换、电池管理系统、电机驱动等领域,是提升系统性能与节能效果的理想半导体组件。
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
SI1012R-T1-GE3是一款采用微型SOT-523封装的高品质N沟道MOSFET。它具备卓越的电气性能,工作电压VDSS高达20V,可承载最大连续电流ID为0.8A,而且拥有极为出色的导通电阻RD(on)仅100mR,有助于提升系统能效并减小能耗。此款MOS管适合用于电源转换、电池供电设备、智能家居产品及其他空间受限但需高性能开关功能的场合,是工程师优化电路设计的理想选择。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
SM32314D1RLN沟道MOSFET,采用先进DFN3X3-8L封装技术,结构紧凑,节省电路板空间。该器件具有30V的最高耐压(VDSS),并提供高达60A的持续漏极电流(ID),性能强大稳定。尤为值得一提的是其出色的导通电阻仅为6mΩ(RD(on)),有效减少了能耗,提升了系统的功率转换效率。这款MOS管非常适合应用于高功率密度的开关电源、电机驱动控制以及高电流管理方案中。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
CSD17579Q3AN沟道MOSFET,采用紧凑型DFN3X3-8L封装,专为高效空间利用而设计。该器件拥有30V的最大额定电压(VDSS),并可承载强大的60A连续漏极电流,性能卓越。尤其突出的是其超低的导通电阻6mΩ(RD(on)),显著减少功率损耗,提高整体工作效率。这款MOS管适用于各类高性能开关电源、马达驱动及大电流控制场景,是工程师的理想之选。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
IRLML2502PbF是一款高性能N沟道MOSFET,采用紧凑型SOT-23封装,专为高效率和小型化电子应用设计。器件提供20V的最大漏源电压(VDSS),并能承载6A的连续漏极电流(ID),其卓越的22mΩ导通电阻(RD(on))确保了在低功耗条件下仍能保持高能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,是构建节能、紧凑型电子解决方案的理想半导体组件。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
SQ2308CES-T1_GE3N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为现代电子设备的小型化设计打造。器件具备强大性能参数最大漏源电压(VDSS)高达60V,持续电流(ID)高达3A,且导通电阻(RD(on))仅为80mΩ,确保在高负荷条件下仍能保持优异的能源效率和散热性能。广泛适用于电源转换、电机驱动、负载开关等应用场景,以出色的效能和稳定性,为您提供电路设计的上乘之选。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
FDS6675P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装,具备优良的电流处理能力。器件特点是30V的最大漏源电压(VDSS),能够稳定传输高达12A的连续电流,且导通电阻低至10mΩ,有助于增强系统效率,降低能耗。广泛应用在电源转换、电机控制、负载开关等高电流应用场景中,以其出色的性能和高可靠性,成为优化电路设计的理想半导体元件。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NTTFS4939N是一款N沟道MOSFET,采用紧凑型DFN3X3-8L封装设计,专为高效能、空间受限的电路应用打造。在30V电压VDSS下稳定运行,提供高达100A的连续电流处理能力,展现卓越电力传输性能。其亮点在于拥有4mR的超低导通电阻RD(on),有效减少功耗,提升系统能效。NTTFS4939N适用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高性能低损耗半导体元件的场合。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NTMFS4C025N型号N沟道MOS管采用DFN3X3-8L封装,实现小型化与高效散热,满足高密度电路板设计需求。器件额定电压VDSS为30V,具备强大的100A连续电流ID承载能力,彰显卓越的电力控制性能。其4mR的超低导通电阻,有助于大幅度提高系统能效,减少功率损耗。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
CSD16340Q3型号N沟道MOS管,采用先进的DFN3X3-8L封装技术,将小型化与高效散热相结合,专为高密度电子设备设计。该器件具备30V的额定电压VDSS,能稳定承载100A的连续电流ID,展现出强大的功率处理能力。其导通电阻仅为4mR,极大地提高了系统能效,降低了功耗。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NTTFS4C06N型号N沟道MOS管采用先进DFN3X3-8L封装技术,集小巧体积与高效散热于一体,适用于各类高密度电子设计。器件拥有30V额定电压VDSS,可承载高达100A的连续电流ID,充分展现强大的电力传输性能。其独特优势在于仅4mR的超低导通电阻,有效提高系统能效并减少损耗。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NVTFS4C13NN沟道MOSFET采用小型化DFN3X3-8L封装,专为高集成度电路设计,体积小但性能强劲。该器件具有30V的电压额定值(VDSS),并能在高功率条件下承载60A的连续漏极电流,展现出卓越的电流承载力。其导通电阻低至6mΩ(RD(on)),有助于降低系统损耗,提升整体能效。此款MOS管适用于电源转换、电机驱动、高功率开关电路等各种高电流与高效率应用场合。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
CSD16411Q3N沟道MOS管,采用先进的DFN3X3-8L封装工艺,小巧轻便,适用于高密度电路设计。具备30V的耐压等级(VDSS)和高达60A的连续漏极电流(ID),确保卓越的电力处理能力。其导通电阻仅为6mΩ(RD(on)),有效降低功耗,提升系统能效。此款MOS管是您在高频开关电源、电机驱动等应用中的理想选择。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
FDS6675BZP沟道MOSFET采用SOP-8封装工艺,专为高效能、大电流应用设计。该器件具有30V的最大漏源电压(VDSS),并能持续承载高达12A的大电流,其突出优势在于仅有10mΩ的导通电阻,确保在高功率状态下也能展现出卓越的能效表现。广泛应用在电源转换、电机驱动、负载开关等领域,以强大的电流处理能力和绝佳的电气性能,为您的电路设计提供强有力的支持。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
STS2DNF30L是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用紧凑型SOP-8封装,专为现代电子设备提供高效的功率控制解决方案。主要特性包括最大工作电压VDSS高达30V,具备6A的连续漏极电流能力,确保强大电流处理性能;其25mΩ的低导通电阻RD(on)设计,有效降低功耗,提升整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,是您追求高集成度与节能效果的理想MOS管选择。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
IRF7303PbF是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用紧凑型SOP-8封装,专为现代电子设备设计,提供卓越的功率控制性能。其关键技术参数包括最大工作电压VDSS为30V,可稳定处理6A的漏极电流,满足高电流需求;导通电阻RD(on)仅为25mΩ,有效降低功耗并提升系统能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,是您实现高集成度与节能目标的理想MOS管选择。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
SI4936CDY-T1-GE3是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用标准SOP-8封装,专为现代电子设备提供强大电流处理能力。其核心优势在于最大工作电压VDSS高达30V,可承载6A连续漏极电流,满足高功率需求;导通电阻RD(on)低至25mΩ,有效减少系统功耗,提高能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,是您实现高效、节能设计的理想MOS管器件选择。
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
FDY300NZ是一款采用紧凑型SOT-523封装的高集成N沟道MOS管。它拥有出色的电气特性,额定电压VDSS高达20V,可承受最大连续电流ID0.8A,同时具备极低的导通电阻RD(on),仅为100mR,有效保证了高效能运作和节能效果。这款MOS管广泛适用于各种功率转换、负载开关以及移动通信设备等领域,凭借其小巧尺寸与卓越性能,成为现代电路设计的理想之选。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款IRLML0060PbFN沟道MOS管采用高效能SOT-23封装,适用于紧凑型电路设计。具有出色的电气性能,耐压高达60V,连续电流可达3A,低至80mΩ的导通电阻,确保了设备在运行中的高效能与低损耗。其卓越的品质和可靠性适合于各类高端电源转换、电机驱动及开关控制应用场合,是您优化系统性能的理想选择。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
Si2308CDSN沟道MOSFET采用精巧的SOT-23封装,旨在满足现代电子产品的小型化需求。该器件性能强大,具备60V的最大漏源电压(VDSS),可稳定承载3A电流,并具有低至80mΩ的导通电阻,有效保证了系统运行的高效率和低能耗。广泛应用于电源管理、电机驱动、开关调节等多个领域,以出色的性能和高可靠性,赋能您的电路设计,实现卓越的系统性能表现。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
AO4822A是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用紧凑型SOP-8封装,专为高电流应用场合设计。该器件特性出众最大工作电压VDSS高达30V,可轻松处理8.5A的连续漏极电流;其优秀的17mΩ导通电阻RD(on),有效减少功率损耗,大幅度提升系统效能。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,是您构建节能高效电子设备的理想MOS管解决方案。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
AO4404BN沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装,专为高效能、大电流应用打造。器件提供30V的最大漏源电压(VDSS),具备8.5A的连续电流承载能力,且导通电阻仅14mΩ,确保在高压大电流环境下仍能维持卓越的能效与低功耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等领域,以其出色的电流处理能力和稳定的电气性能,成为您电路设计的理想选择。
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