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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
SOT-363
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级MOSFET采用SOT-363微型封装,内含双N沟道结构,额定电压高达60V,最大连续电流为0.1A,适用于低功率电子设备的精密电源管理和高效开关应用。其小巧尺寸与高性能设计提供了灵活且可靠的电路解决方案。
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压100V,最大连续电流15A,专为高效电源转换、电机驱动等应用设计,提供卓越的开关性能和低损耗功率管理方案。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装,额定电压30V,连续电流高达8.5A。适用于低至中等功率的电源转换、负载开关及电池管理系统应用,具备高效能与小型化设计,为现代电子产品提供理想的半导体解决方案。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装,额定电压30V,最大连续电流高达9A。适用于电池管理系统、电源切换及高功率应用场合,具备卓越的开关性能和低导通电阻,确保高效能与稳定性,是优化电子设备功耗的理想之选。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为20V电压应用设计,具有5A大电流承载能力。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理等场景,提供高效能、稳定的功率转换及控制解决方案。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为40V电压系统设计,具备5A强大电流处理能力。凭借其出色的低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中,实现高效、稳定的功率转换与控制。
SOT-323
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用微型SOT-323封装,额定电压为20V,最大连续电流可达2A,专为电子设备的高效电源管理和低功耗开关应用设计。其小巧尺寸与卓越性能相结合,提供出色的系统集成解决方案。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压40V,支持高达5A连续电流。具有低导通电阻与快速开关性能,适用于充电器、电源转换等应用,为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
DFN-8(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装,具有出色的功率密度。额定电压30V,峰值电流高达150A,特别适用于空间受限且需要高效能开关控制的电路设计,如电源转换、负载开关及电池管理系统等应用。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,特别适用于240V高压环境,提供精确的0.1A电流控制。具备优良的开关特性和高耐压性能,广泛应用于电池保护、信号切换及各类低功耗电子设备中,实现高效且安全的功率管理方案。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装,专为30V电压系统设计,提供双P沟道高效能导通。额定电流5.3A,特别适用于电池保护、电源管理等场景,具有低导通电阻和快速开关性能,是现代电子设备中理想的双向功率控制解决方案。
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装,具备20V额定电压和0.6A连续电流能力,专为低功耗电子设备设计。适用于电源转换、负载开关等应用,小巧尺寸与高效性能兼具。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,具备6A大电流处理能力。拥有优越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类高效率电子设备中,提供稳定、高效的功率转换与控制解决方案。
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,拥有30V额定电压和高达80A的强劲电流处理能力。专为高负载、高效能的低压电子设备设计,实现卓越的开关性能与能耗控制,是优化电源管理系统的理想半导体器件选择。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为60V电压系统设计,提供高达3A的连续电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换等场景,实现高效、稳定的功率控制。
TSSOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装,集成双N沟道设计,额定电压20V,可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造,适用于各类消费电子产品,提供出色的系统性能与稳定性表现。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用小巧SOT-23封装,适用于100V高压系统,额定电流为0.2A,特别适合于低功耗电子设备的电源开关和信号控制。具备卓越的低导通电阻与快速切换性能,有效提升能效并确保在各类应用中的稳定运行。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流高达3A。具备低导通电阻与快速开关特性,广泛应用于充电器、电源管理及各种电子设备的负载切换与高效功率控制场景。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压20V,可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性,应用于充电器、电源转换等场合,提供高效能、稳定可靠的功率控制方案,是各类电子设备的理想选择。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压60V,最大连续电流为0.3A。具备低导通电阻和快速开关特性,适用于电池保护、负载切换等应用场景,是小型电子设备中实现精细功率控制的理想半导体元件。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装,额定电压30V,可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,额定电流为2.8A。具有低导通电阻和快速开关功能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,实现高效、稳定的功率转换与控制,是现代电子产品理想的节能组件。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。
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