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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
AO3481
SOT-23-3L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
AO3481是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23-3L封装，适宜空间受限的电路布局。器件特性卓越，具有30V的最大漏源电压(VDSS)，可处理高达4.2A的连续漏极电流(ID)，且其导通电阻(RD(on))仅为45mR，确保在开关过程中实现高效能与低功耗。广泛应用于电源管理、负载开关电路、电池保护系统以及各种便携式和手持设备的低电压、中等电流控制中。
MMBF2201NT1
SOT-323
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
MMBF2201NT1N沟道MOSFET采用小巧精密的SOT-323封装，实现空间利用率最大化。该器件具有20V的最大漏源电压(VDSS)，在导通状态下可承载2A的漏极电流(ID)，同时保持优秀的低导通电阻49mR(RD(on))，从而有效提高系统效能，减少能量损失。这款MOS管广泛应用在开关电源转换、马达驱动、消费电子产品等场景中，是工程师打造高性能、低能耗电路的理想之选。
AO4430
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流高达18A。专为中高功率需求设计，应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，具备出色的能效比和小型化特点，满足现代电子产品紧凑高效的半导体要求。
HD6362
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达100A，专为大电流、高效率电源转换和电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能与低损耗特性，是高性能消费级电子设备的理想组件。
DMP4051LK3-13
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压40V，提供稳定的25A电流处理能力。专为中低压、高效能的开关应用设计，适用于各类消费电子产品，确保卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。
DMG1012T-7
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装，具备20V工作电压和0.8A电流承载能力，专为低功耗、高集成度的电子设备设计，实现高效电源管理与精确开关控制。
IRLML0030TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供5.8A强大电流处理能力。具有出色的低导通电阻和快速开关性能，是充电器、电源转换及高功率电子设备的理想选择，确保高效稳定的功率控制与转换。
AOD417
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，具备强大40A电流处理能力。专为高效能、低损耗的消费电子开关应用设计，有效提升系统性能与节能效果，是在低压环境下优化电源管理方案的理想半导体元件选择。
HD7256
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压100V，峰值电流高达20A，适用于高功率电子设备的电源转换、电机驱动等应用，提供高效能、低损耗的开关控制解决方案。
AO4614
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级N+P沟道MOSFET采用紧凑SOP-8封装，专为双向电源控制和高效转换设计。额定电压40V，连续电流高达7.2A，适用于电池管理系统、AC/DC转换器等应用。集成双极性通道，具备低导通阻抗与卓越的开关性能，确保在正负电压下稳定工作，是电路设计的理想选择。
HS2290
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款高性能消费级MOSFET采用SOP-8封装，内含双N沟道设计，专为处理高电流应用打造。额定电压40V，连续通过电流高达12A，适用于电源转换、马达驱动等场合。凭借其卓越的低导通电阻和高速开关性能，有效提升系统效率并确保稳定运行。
FDN338P
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，提供2.3A电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源管理等场景，是电子设备高效能功率控制的理想选择。
MX30G20DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道，额定电压30V，连续电流16A。专为小型化、高效率电源转换与负载控制设计，适用于电池管理系统等应用场景，提供出色的能效比及空间节省方案。
HN6976
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具备60V额定电压和30A连续电流处理能力。专为高效率电源转换、电机控制与电池管理系统设计，拥有出色的热性能及功率密度，是现代紧凑型电子设备的理想选择。
AOD4144
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达60A，专为高效电源转换、大电流负载控制等应用设计，提供出色的开关性能和低损耗特性，是高功率消费电子设备的理想选择。
50N06
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用高效TO-252-2L封装，具有60V高耐压和强大50A电流承载能力。专为高性能消费电子设备设计，实现低电阻、高速开关，显著提升系统效能与稳定性，是优化电源管理方案的理想半导体元件选择。
SI2306A
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V电压系统设计，具备高达5.8A的大电流处理能力。具有优越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换以及各类高功率电子设备中，实现高效可靠的功率管理与切换功能。
MX5N50D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，拥有高达500V的高耐压及稳定的5A电流处理能力。适用于各类高压开关应用场合的消费电子产品，确保卓越的电源转换效率、低损耗和系统稳定性表现。
IRF640NPBF
TO-220
MXsemi
场效应管(MOSFET)
50个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-220封装，专为处理200V高电压、中大电流应用设计。额定连续电流18A，广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和卓越散热性能，是现代电子设备高效能功率控制的理想元件。
IRF630
TO-220
MXsemi
场效应管(MOSFET)
50个/圆盘
这款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为处理200V高电压下的中等电流应用。额定连续电流9A，广泛应用于电源转换、电机控制及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热设计，是现代电子设备理想的高耐压功率开关器件。
IPD40DP06NMATMA1
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET，专为中等电压、大电流应用设计。额定电压60V，连续电流承载能力高达10A，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，具备低导通电阻和优越热性能，是现代电子设备高效能功率控制的理想选择。
AOD478
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备100V高耐压和高达20A连续电流处理能力，适用于电源转换、电机驱动等高性能应用场景，提供卓越的开关性能与稳定可靠的功率管理解决方案。
IPG20N06S4L-26
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
这款双N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。具有60V额定电压及单通道高达50A的连续电流能力，尤其适用于高效电源转换、电动单车电池管理系统以及电机驱动场景，提供卓越的能效表现与可靠的开关性能。
ZXMP3A13F
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
ZXMP3A13FP沟道MOS管采用紧凑型SOT-23封装，专为高效能电路设计打造。该器件耐压高达30V，能提供稳定的4.1A电流输出，并具有优秀的48mΩ导通电阻，从而确保了系统在运行过程中的低功耗与高效率。广泛应用在电源转换、负载切换、电池保护等领域，是工程师进行绿色节能电子设计的理想之选。
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