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场效应管(MOSFET)
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圆盘信息
描述
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
AOD2916是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO-252-2L封装,专为满足高电压、大电流应用需求而设计。工作电压高达100V,连续电流承载能力高达30A,特别适用于电源转换、电机驱动等场景。其导通电阻仅为35mΩ,确保在大电流运行时仍能保持卓越的能效和较低的功率损耗。AOD2916MOS管是构建高效率、高稳定性电子设备的理想选择。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
SIR468DP-T1-GE3是一款采用小型化DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOSFET,专为高效能和空间敏感型设计而生。该器件在30V的电压VDSS下稳定工作,能提供高达80A的连续电流,充分满足高电流应用的需求。其亮点在于仅4.3mR的超低导通电阻RD(on),有效减少能量损耗,提高整体能效。无论在电源转换、马达驱动还是其他大电流负载控制场合,SIR468DP-T1-GE3都是理想的半导体元件解决方案。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NTMFS4925N是一款N沟道MOSFET,采用节省空间的DFN5X6-8L封装,专为高功率密度和低能耗应用设计。本器件能在30V的电压VDSS下稳定工作,提供高达80A的连续电流,凸显出强大的电流处理能力。其亮点在于导通电阻RD(on)仅为4.3mR,确保了卓越的能效表现,有效降低功耗。NTMFS4925N适用于电源转换、电机驱动、及其他对功率和效率有较高要求的场景,是现代电子系统设计的理想半导体组件。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NTMFS4941N是一款采用紧凑型DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOSFET,特别适用于空间有限且需高效能转换的应用场景。该器件能在30V的最大电压VDSS下稳定运行,提供高达80A的连续电流,展现出卓越的电流承载能力。其导通电阻RD(on)低至4.3mR,确保了最小的功率损耗和最高的能效表现。无论在电源管理、电机驱动、或者其他大电流应用领域,NTMFS4941N都是您理想的半导体解决方案。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NVTFS5C466NL是一款N沟道MOSFET,采用先进DFN3X3-8L封装,适宜空间有限的设计需求。器件提供40V的漏源电压(VDSS),支持高达60A的连续漏极电流(ID),并具有低至6.9mΩ的导通电阻(RD(on)),确保在高功率应用中实现高效能和低损耗。适用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等多种场景,是优化系统性能和节能效果的理想半导体元件选择。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NTMFS4939N是一款N沟道MOSFET,采用小型化DFN5X6-8L封装,专为高效能、紧凑空间设计。在30V电压VDSS下稳定工作,提供高达80A的连续电流处理能力,适用于大电流应用场景。其核心优势在于4.3mR的超低导通电阻RD(on),大大提升了系统能效,降低了功耗。无论是在电源转换、电机驱动、还是其他高效率要求的场合,NTMFS4939N都是您理想的半导体解决方案。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
AON6576是一款N沟道MOSFET,采用紧凑型DFN5X6-8L封装设计,专为高效率和小型化电子系统打造。该器件能够在30V的电压VDSS下稳定工作,提供高达80A的连续电流,满足大电流应用场景需求。其核心优势在于仅4.3mR的超低导通电阻RD(on),大幅度降低了功率损耗,提高了系统能效。AON6576广泛适用于电源转换、电机驱动、以及其他要求高效节能的半导体应用领域。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
FDS8949是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用紧凑型SOP-8封装,专为高效率、高集成度的电子设计打造。该器件提供了40V的额定电压VDSS,可承载12A连续电流ID,展现出强大的电力处理性能。其导通电阻RD(on)仅为16mΩ,有效降低了系统能耗,提升了整体能效。FDS8949适用于电源转换、负载开关控制以及中等电流驱动等各种应用环境,是实现低损耗、高效率电路设计的理想半导体器件。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
NTMD3P03型号MOS管,采用先进的P+P沟道技术,封装于小型化SOP-8外壳,以其优良的集成性和空间利用率备受青睐。该器件工作稳定,额定电压VDSS高达30V,可持续提供5.3A的大电流处理能力,同时具有优秀的导通电阻RD(on),低至35mR,显著提升工作效率,降低能耗。此款MOS管广泛适应于电源管理、马达驱动等多种应用场景,助您实现系统性能升级与节能目标。
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
IRLR2703是一款高性能N沟道MOSFET,采用标准TO-252-2L封装,专为处理大电流和高效率应用而设计。器件具有30V的最大漏源电压(VDSS),并且可以安全地传导高达20A的连续漏极电流,展现强大的电流传送能力。其亮点在于仅15mΩ的超低导通电阻(RD(on)),从而实现卓越的能源转换效率和减少功率损耗。广泛应用于电源转换、电机驱动、大电流开关电路等多个领域,是您构建高效、可靠电子系统的理想半导体组件。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
FDS6912A型MOS管是一款高性能的N+N沟道半导体器件,采用SOP-8封装形式,结构紧凑,便于在各种电路板中灵活布局。该器件拥有30V的高额定电压VDSS,以及高达8.5A的连续电流ID能力,表现出强劲的电能处理性能。特别值得一提的是,其优异的导通电阻仅17mR,有助于大幅度降低系统损耗,提升整体工作效率。此款MOS管广泛适用于电源转换、电机驱动等领域,经严格品质把控,确保每一片都具备出色的稳定性和耐用性。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
SM4953PRL型MOS管选用高品质P+P沟道工艺,采用精巧SOP-8封装形式,为现代电子设备提供卓越的空间利用率。本器件电压耐受力出众,额定VDSS值为30V,能够承受5.3A的连续漏极电流,而其优异的导通电阻仅为35mR,确保了在运行过程中的低功耗与高效率表现。此款MOS管广泛运用于电源控制、电机驱动等场景,是提升系统整体效能的理想半导体组件。
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
IPD30N06S2L-23是一款高功率N沟道MOSFET,封装类型为TO-252-2L,专为高密度电源应用设计。该器件提供60V的最大漏源电压(VDSS),并能在满载下处理50A的强大连续电流(ID),且拥有优秀的导通特性,导通电阻仅为15mR(RD(on)),从而大大减少了功率损耗,提高了系统效率。广泛应用于开关电源、电池管理系统、电机驱动等对效率要求较高的场合。
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该P沟道消费级MOSFET采用SOT-23封装,适用于30V电压环境下的高效电源转换和负载控制。器件提供4.1A连续电流处理能力,具有低导通电阻特性,特别适应于便携式设备的电池管理系统,是实现节能与可靠功率管理的理想半导体元件。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
SM6366ED1RL型号N沟道MOS管,采用DFN5X6-8L封装设计,兼具小型化与高效散热功能,特别适合现代高密度电子设备应用。器件拥有30V额定电压VDSS,提供高达120A连续电流ID处理能力,展现卓越的电力控制性能。其3.5mR超低导通电阻,有效提高能源效率并减少系统损耗。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NTMFS4937N型号N沟道MOS管,采用紧凑型DFN5X6-8L封装技术,专为高密度、高性能电子设备设计。该器件具备30V的额定电压VDSS,支持高达120A的连续电流ID,展现强大电力处理实力。其卓越的3.5mR导通电阻,助力实现超高能效,减少不必要的系统损耗。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
CSD17581Q5A型号N沟道MOS管采用DFN5X6-8L封装,小巧轻便,散热性能佳,适用于高集成度电路设计。器件额定电压VDSS为30V,可承载高达120A的连续电流ID,展现卓越的功率处理能力。其突出特点是导通电阻低至3.5mR,有助于提升系统能效并降低功耗。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
SIRA12DP-T1-GE3型号N沟道MOS管,采用紧凑型DFN5X6-8L封装,兼顾小型化与高效散热性能,特别适合于高集成度电路设计。器件支持30V额定电压VDSS,提供高达120A的连续电流ID,展现了卓越的功率处理能力。其导通电阻仅为3.5mR,极大提升了能源转换效率,降低了系统损耗。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
IRFH8324PbF型号N沟道MOS管,采用先进的DFN5X6-8L封装形式,结合了高效散热与小型化特点。器件额定电压VDSS为30V,支持高达120A的连续电流ID,展现了卓越的功率处理能力。其低至3.5mR的导通电阻,有效提升了能源转换效率,减少了系统损耗。广泛应用在快速充电设备、大电流开关电源等领域,出厂前历经严格质量测试,确保在各类苛刻环境中提供稳定、高效的性能输出。
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
FDS6930B是一款高性能N+N沟道MOSFET,采用标准SOP-8封装,专为现代高功率密度电子设备提供卓越的电流处理能力。其关键特性包括最大工作电压VDSS高达30V,可稳定传导6A的漏极电流;得益于其25mΩ的超低导通电阻RD(on),显著降低了系统功耗,提升了整体能效。广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等领域,是您追求高效率与节能设计的理想MOS管器件选择。
SOT-523
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
SI1012X-T1-GE3是一款采用先进SOT-523封装技术的高性能N沟道MOS管。器件具有强大而稳定的电气性能,额定电压VDSS高达20V,可持续提供0.8A的最大电流ID,同时拥有出色的导通电阻RD(on)低至100mR,确保高效低耗运行。这款MOS管广泛应用于各类电源转换、负载驱动、便携设备以及智能硬件领域,凭借其卓越的性能和紧凑封装,为用户在设计过程中实现最佳的功率管理方案。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
SM95N03AD1RL是一款N沟道MOSFET,采用小型化DFN5X6-8L封装,专为高密度、高性能电路设计。该器件能在30V电压VDSS下稳定工作,提供高达80A的连续电流,确保强大而稳定的电力传输。其独特优势在于拥有4.3mR的超低导通电阻RD(on),有效降低了功率损耗,提高了整体能效。SM95N03AD1RL适用于电源转换、电机驱动、以及其他要求高效低耗的半导体应用领域。
DFN-8L(5x6)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
FDMS0312AS是一款高性能N沟道MOSFET,采用紧凑型DFN5X6-8L封装技术,专为高效率、低功耗应用设计。在30V电压VDSS下,该器件能够稳定处理高达80A的连续电流,体现卓越的电流承载能力。其关键特性在于仅有4.3mR的超低导通电阻RD(on),显著提升能效,减少系统损耗。FDMS0312AS适用于电源转换、电机驱动、以及其他需要高效半导体组件的场合。
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
NVTFS015N04CN沟道MOS管采用紧凑型DFN3X3-8L封装,提供出色的散热性能和空间节省优势。该器件支持40V的工作电压VDSS,具备处理60A连续漏极电流ID的能力,特别适用于高电流应用。其导通电阻RD(on)低至6.9mΩ,显著减少系统功率损耗,提升整体能效。广泛应用在电源转换、电机驱动、新能源等领域,NVTFS015N04CMOS管是实现高效、节能半导体解决方案的关键组件。
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