SK海力士 发表16层HBM3E晶片

                                                                                                     SK海力士 发表16层HBM3E晶片

                                              9月投产12层HBM3的韩国记忆体大厂SK海力士（SK Hynix），4日再度抛出好消息，将于明年初生产业界首款48GB、16层堆迭HBM3E晶片。

                                              SK海力士股价当天应声大涨6.48％，收报194,000韩元。

                                              SK集团在韩国国际会议中心（COEX）举办2024年SK AI峰会，郭鲁正发表谈话，表示：“随著下一代HBM4的推出，将开启16层HBM市场，SK海力士持续投入开发48GB、16层堆迭HBM3E晶片，确保其技术稳定性，并计划明年初供应样品供客户测试。”

                                              郭鲁正表示：“与12层版本相比，16层的训练性能将提高18％，推理性能更能提高32％。”、

                                              郭鲁正也在峰会分享，他应黄仁勳要求，将HBM4晶片的供应提早半年。该公司预计16层HBM3将于明年H1开始出货，并在H2出货下一代HBM4晶片。

                                              SK海力士计画使用先进MR-MUF堆迭技术，确保封装良率，郭鲁正：“从HBM4开始，SK海力士计划透过与全球顶级逻辑代工厂台积电（TSMC）合作。”

                                              该公司在今年4月宣布携手台积电，合作生产新一代HBM，并持续开发HBM4，即HBM系列第六代产品，当时预计将于2026年开始量产。

                                              SK海力士为AI晶片巨头辉达重要供应商，其高频宽记忆体（HBM）是晶片的关键元件，而这些晶片又被用来训练庞大的AI模型，受到世界各地的科技巨头抢购，以打造最强大的模型和应用程式。

                                              根据最新的市场报告中显示，SK海力士去年以53％的市占率稳坐全球HBM市场龙头，其次是三星电子的38％，以及美光科技的9％。