英特尔新技术 叫阵台积

                                                                                                                 英特尔新技术 叫阵台积

                                                          英特尔营运陷入低潮，公司仍力图反扑，在业界重量级会议“2024年IEEE国际电子元件会议”发表一系列先进技术，包括透过使用新材料减材钌（subtractive Ruthenium）以提升电晶体容量达25％，同时使用先进封装的异质整合解决方案，首次让吞吐量提高100倍，实现超快速晶片对晶片组装，持续叫阵台积电。

                                                          在英特尔发表的一系列先进技术当中，以採用减材钌来强化晶片间讯号连接速度，让先进封装后讯号传输速度将可望快上100倍，最受关注。

                                                          法人看好，台厂当中，贵金属材料厂光洋科是台湾进口钌数量最大的代理商，未来随著钌在半导体先进技术扮演要角，光洋科将优先受惠，后续业绩有望进入高速成长期。

                                                          英特尔表示将使用减材钌提升薄膜电阻及降低气隙效应，让曝光制程时能减少气隙排除区，且提高蚀刻准确度。业界说明，钌（Ru）是铂金的附属产品，跟铂金很像，特性是稳定性极佳，因此主要应用在硬碟储存产业。

                                                          英特尔强调，减材钌是一种新的关键替代金属化材料，该公司相关团队在研发测试工具中展示具备成本效益，且适用于大量生产的减材钌整合制程。採用具备气隙特性的减法钌，可在间距小于或等于25奈米时，降低线间电容幅度达25％，凸显出金属化方案的减材钌在紧密间距中替代铜镶嵌的优势。此一解决方案将会出现在英特尔晶圆代工未来的制程节点中。

                                                          另外，为进一步推动环绕式闸极（GAA）微缩，英特尔晶圆代工也展示硅RibbonFET CMOS与用于微缩2D FET的闸极氧化物模组的工作成果，可提高元件效能。