力积电Q3营收、产能利用率 看升

                                                                                                  力积电Q3营收、产能利用率 看升

                                力积电（6770）16日举行法说会，在铜锣新厂投产影响毛利率下，第二季亏损持续较第一季扩大，单季每股税后淨损0.47元，累计上半年每股税后淨损0.58元。该公司发言人谭仲民表示，第三季营收及产能利用率可望持续微幅回升，但铜锣新厂仍将影响第三季毛利率及成本，第三季营收虽可望微幅增加，但单季损益压力仍较大。

                                展望第三季，在记忆体部分，谭仲民则是进一步表示 DRAM呈正向发展，HBM记忆体强劲，成熟制程价格朝上但涨幅不明显，高阶产品价格虽有机会上涨，但先前跌深、基期仍低之下，毛利率水准仍在低档区。非传统型标准型记忆体产品如挖矿机、边缘运算应用需求增加，看到客户在新产品逐步导入。至于NAND需求方面，目前毛利率不错，而NOR Flash受惠于地缘政治，也有新产品导入，预期明上半年将贡献营收。整体来说，力积电对记忆体持乐观态度，但涨幅和缓。

                               力积电第二季营收111.23亿元、较上季小幅增加3％，与去年同期相比微幅上升1％，单季每股税后淨损0.47元，较首季的每股税后淨损0.11元扩大。上半年营收219.43亿元，每股税后淨损0.58元。

                               谭仲民表示，力积电第二季单季亏损，主要受到铜锣新厂与地震二大因素的影响，其中又以铜锣新厂效应影响成本及毛利率占多数，使得力积电毛利率由第一季的15.4％，降至第二季的5.3％。

                               他指出，目前铜锣新厂月产能约8,500片晶圆，估计损益两平约需逾2万片，需待明年市况再决定产能拉升速度。

                               谭仲民表示，目前市场去化库存逐渐结束，客户需求也逐渐回到原有水准，以产能利用率来看，记忆体代工中以DRAM较好，产能利用率已达到约9成，估计第三季12吋晶圆厂的产能利用率也将缓步回升至8成，8吋晶圆厂相对较低，但也将慢慢回升至7成水准。

                               力积电强调，3D封装部分持续与客户合作，而受惠平板、手机需求回升，DDIC感测跟PMIC库存调整已进入健康状况，预估第三季营收及产能用利率将维持微幅成长表现，但由于铜锣新厂影响成本的效应仍将持续，预期单季亏转盈仍较辛苦。