二极管-三极管-晶体管-MOS场效应管-桥堆生产厂家-深圳兆信半导体MXsemi

GBU

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晶体管

1500个/圆盘

这款GBU封装的整流桥器件，专为高电压、大电流应用场合设计。拥有1000V的高反向电压额定值（VR），确保在高压环境下稳定工作。其正向压降VF在10A电流下低至1.05V，有效降低功耗并提升电源转换效率。此外，器件具备出色的电流处理能力，最大连续输出电流可达10A（IO），保证了设备运行时的高效与可靠性。此款整流桥是各类高要求电路设计的理想选择，助您轻松应对复杂电源转换挑战。

GBL810

GBL

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晶体管

1500个/圆盘

此款GBL封装整流桥器件，专为高效能电源转换应用打造。其具备高达1000V的反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全稳定运行。在3A工作电流下，正向压降VF低至1.1V，有效减少功率损耗并提升整体系统效能。此外，该器件的最大连续输出电流可达8A（IO），展现出卓越的电流承载能力，尤其适用于需要处理中高电流强度及高电压环境的电路设计。这款整流桥凭借其高性能与高可靠性，成为您实现理想电源转换方案的理想之选。

KBU610

KBU

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晶体管

1500个/圆盘

这款KBU封装的高品质整流桥器件，专为1000V高电压环境和大电流应用设计。凭借出色的耐压性能，可承受高达1000V的反向电压，确保系统稳定高效运行。在6A的工作电流下，其正向电压降低至1.1V，有效降低功耗并提升电力转换效率。此外，该器件具有卓越的电流承载能力，最大连续输出电流可达6A，适用于各类中大功率电源、电机驱动等领域。选择此款整流桥，您的设备将实现更高能效与更佳稳定性表现。

ABS10

ABS

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晶体管

5000个/圆盘

这款整流桥器件封装采用ABS工艺，适用于对性能和效率有高要求的电路设计。其拥有VR1000V的额定电压，确保在高压条件下稳定运行。关键参数VF表现为1V@0.4A，即在0.4A电流下正向压降仅为1V，实现低功耗与高效能的完美结合。器件提供最大1A的输出电流（IO:1A），适合各类中等电流应用场合。此款半导体整流桥凭借卓越的电气性能及节能特性，是电源适配器、驱动电路等电子设备的理想选择，助力提升您的设备整体性能与能源利用率。

MB10S

MBS

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晶体管

3000个/圆盘

此款MBS封装整流桥器件，拥有1000V的高直流反向耐压性能，能有效应对高压环境下的电路保护需求。其平均整流电流为0.8A，满足中低功率设备的电流处理要求。在0.4A工作电流下，正向压降仅为1V，确保了较低的能量损耗和更高的工作效率。同时，反向电流控制在5uA@1000V，显示了卓越的绝缘特性，是各类需要稳定、高效整流解决方案的理想选择。

ABS210

ABS

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晶体管

5000个/圆盘

此款整流桥器件采用ABS封装工艺，专为高可靠性、高效能的电路设计。其卓越的VR1000V额定电压，确保在高压环境下稳定工作无虞。在1A电流下，VF仅为1V，展现超低正向压降特性，有效节省电力损耗，提高整体系统效率。此外，拥有强大的2A输出电流能力（IO:2A），轻松应对大电流应用场景。这款半导体器件凭借出色的性能表现与节能优势，成为电源转换器、逆变器等电子设备的理想配置选择，为您的设备运行注入澎湃动力和持久稳定性。

GBJ3510

GBJ

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晶体管

1500个/圆盘

这款GBJ封装的高性能整流桥，专为高功率、大电流应用场合打造。具备1000V的卓越反向电压额定值（VR），确保在高压环境下稳定运行。其特色在于，在12.5A工作电流下正向压降VF低至1.05V，有效提升电源转换效率并降低功耗。更值得关注的是，器件拥有强大的瞬态峰值电流承载能力高达30A（IO），确保在极端条件下仍能提供卓越的性能表现。适用于各类需要处理极高电流强度及高电压的电路设计，是您构建高效、可靠电源系统的理想选择。

GBP410

GBP

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晶体管

1500个/圆盘

这款GBP封装整流桥器件，专为高效稳定电源转换打造。其拥有1000V的高反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全运行。在4A工作电流下，正向压降VF低至1.1V，有效减少功率损耗并提升系统能效表现。同时，器件支持最大连续输出电流4A（IO），提供卓越的电流处理能力及稳定性。适用于各类需要处理高电压、中等电流的应用场景，是您电路设计的理想选择，助您实现性能与可靠性的完美结合。

KBP307

KBP

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晶体管

1500个/圆盘

这款采用KBP封装的高精度整流桥，专为800V电压等级及中等电流应用设计。其具备出色的耐压性能，在高达800V的反向电压下保持稳定工作状态。在3A的工作电流下，正向电压降低至1.1V，实现高效能电力转换与显著节能效果。器件的最大连续输出电流为3A，适用于各类电源适配器、中功率电机驱动及电子设备内部电路中的整流需求。选择本款KBP封装整流桥，将为您的系统带来卓越的能效表现和稳定的运行能力。

KBU810

KBU

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晶体管

1500个/圆盘

这款采用KBU封装的高端整流桥器件，特别为1000V高电压、大电流应用环境设计。在确保卓越电气性能的同时，能承受高达1000V的反向电压，保证系统稳定可靠运行。在8A的工作电流下，其正向电压降仅为1.1V，优化了电力转换效率，有效减少能源损耗。此外，该器件具有出色的连续输出能力，最大可承载8A电流，是各类高性能电源供应器、电机驱动的理想选择。选择本款整流桥将助力您的设备实现更高能效和更优稳定性。

GBU606

GBU

MXsemi

晶体管

1500个/圆盘

这款GBU封装的高性能整流桥半导体器件，专为大电流、高效能应用打造。其关键特性包括VR耐压高达600V，确保在常规电压范围内稳定运行；VF值低至1.05V@6A，即使在满载电流6A时也能实现超低压降，显著提升电源转换效率和节能效果；额定输出电流IO为6A，提供强劲而稳定的电流处理能力。广泛应用于各类中高端电源系统、逆变器及其他大电流电子设备中，是优化系统性能与可靠性的理想之选。

DB107S

DBS

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晶体管

1500个/圆盘

这款DBS封装的整流桥器件，专为高效低耗电源转换应用打造。具备1000V的高反向电压额定值（VR），确保在高压条件下安全稳定运行。其独特优势在于1A电流下正向压降VF仅为1.1V，有效减少功耗并提升系统能效表现。此外，该器件支持最大连续输出电流1A（IO），提供卓越的低电流处理能力及稳定性。适用于各类小型化、高效率且需处理中等电压的应用场景，是您电路设计的理想选择，助力实现紧凑与性能兼备的电源解决方案。

MB10F

MBF

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晶体管

5000个/圆盘

本款高性能整流桥采用MBF封装技术，专为高电压、低损耗应用设计。作为一款1000V的高耐压整流器件，在确保系统稳定运行的同时，展现了出色的电气性能。在500mA工作电流下，其正向电压降仅为1.1V，有效减少功耗并提升整体效率。该器件拥有强大的电流处理能力，最大连续输出电流可达1A，适用于电源转换器、逆变器及各类高压直流电设备。选择这款整流桥，将有力推动您的电路设计实现更高能效与可靠性。

MB6S

MBS

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

MB6S,MB6S参数,MB6S工作原理,MB6S规格书,兆信,MXsemi,桥堆,整流桥

DTC123JE

SOT-523

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

逻辑门驱动微控制器接口马达驱动电源管理音频/视频设备通信电路

DTC143ECA

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

这款NPN型数字晶体管采用紧凑型SOT-23封装，专为低功耗、高集成度的现代电子设备设计。器件具备50V的最大集射极电压(Vcc)和0.1A的连续输出电流(Io)，功率消耗控制在0.2W以内，确保了出色的能效表现。独特之处在于内置精密电阻网络，其中R1阻值设定为4.7Ω，并具有10倍于R1的R2阻值（R1/R2=10），有助于简化电路配置并提升系统稳定性。该晶体管适用于逻辑门电路、信号处理等多种数字应用场合，是实现小型化、高效节能电路的理想选择。

DTC144EE

SOT-523

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

微控制器输出驱动逻辑门电路脉冲宽度调制（PWM）驱动接口电路切换传感器信号放大待机电路低压开关电源

DTA143ECA

SOT-23

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晶体管

3000个/圆盘

逻辑门电路驱动电路信号放大电源管理嵌入式系统消费电子产品

DTC143ZE

SOT-523

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

本款数字NPN晶体管采用先进的SOT-523封装技术，体积小巧，适用于高密度电路设计。其工作电压高达50V，连续电流为0.1A，功率耗散可达0.15W，具备出色的能耗控制性能。内部配置精密电阻网络，其中R1为4.7Ω，R1/R2比例为10，确保了器件在开关和放大状态下的稳定性和精准性，是各类微电子设备的理想选择。

DTC114ECA

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

逻辑门驱动模拟开关微控制器输出缓冲电源管理显示驱动音频信号处理

DTC143ZUA

SOT-323

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

数字信号处理LED驱动液晶显示器（LCD）背光驱动电源管理马达驱动通信接口

UMH3N

SOT-363

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晶体管

3000个/圆盘

这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装，内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压（Vceo）及0.1A的最大集电极电流（Ic），功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性，在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时，VCE(sat)仅为300mV，同时拥有出色的直流电流增益，hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外，该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT)，确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计，如逻辑门电路、信号放大器等应用场合，以其小巧体积与

DTC143ZCA

SOT-23

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晶体管

3000个/圆盘

此款NPN型数字晶体管采用紧凑的SOT-23封装，适用于低功耗数字电路设计。该器件具有50V的最大集射极电压(Vcc)，可承受0.1A的连续输出电流(Io)，功率消耗仅为0.2W，确保高效能与节能表现。此外，其内置精密电阻网络，其中R1设定为4.7Ω，并且R1/R2比例为10，有助于简化外围电路设计和提高系统稳定性。这款晶体管凭借小巧体积、优异电气性能及集成电阻特性，广泛应用于逻辑门电路、信号切换以及其他各类精密电子设备中。

DTC123YCA

SOT-23

MXsemi

晶体管

3000个/圆盘

这款NPN型数字晶体管采用小型化SOT-23封装，专为高效能、低功耗的电子设计打造。器件支持最大50V集射极电压（Vcc），具备0.1A连续输出电流能力（Io），功率消耗仅为0.2W，确保在紧凑空间内实现卓越性能。独特之处在于集成有精准电阻网络，其中R1阻值设定为2.2Ω，并具有与R1约4.5倍的比例关系（R1/R2=4.5），极大简化了电路设计和提升了系统稳定性。适用于各类逻辑门电路、信号切换等数字应用领域，是现代微型化电子产品中不可或缺的核心组件之一。