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晶体管
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
MX2333MI
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，具有P沟道结构，工作电压高达20V，最大连续电流7A，适用于各种电源转换和开关控制应用。紧凑设计结合卓越性能，为电子设备提供高效率、低损耗的功率管理方案。
MX30N10D
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有100V高耐压及30A大电流处理能力，专为高效能电源转换、电机驱动等应用设计，提供低损耗、快速响应的开关控制功能，满足高功率电子设备需求。
MX6956
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用先进TO-252-2L封装，拥有60V最大耐压及高达50A的持续电流能力。专为各类中高端消费电子产品设计，能显著提升开关电路效率，保证系统稳定运行，是您优化电源管理方案的理想之选。
FDS4435A
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V电压系统设计，具备9A大电流处理能力。具有低导通电阻和优良的开关性能，适用于电池保护、电源控制及各类中高功率应用场合，是提升消费电子设备能效的理想之选。
MX50P02D
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备20V工作电压及高达50A的大电流处理能力。专为低压、高电流应用的消费电子产品设计，提供卓越开关性能与能效表现，是优化电源转换和系统稳定性的理想半导体元件选择。
SSM3J328R
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为18V电压系统设计，提供高达7A的连续电流处理能力。具备低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于电池保护、电源管理等领域，实现高效可靠的功率转换与控制功能。
MX3415MI
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级MOSFET采用小型SOT-23-3L封装，内建P沟道技术，工作电压为20V，最大连续电流4.1A，适用于各类电子设备的电源管理和高效开关应用。凭借其紧凑尺寸和优良性能，有效提升系统效率并确保稳定运行。
2N60L
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，额定耐压高达650V，可稳定处理2A电流。专为高效能、低损耗的高压开关应用设计，广泛适用于各类消费电子产品，是优化电源管理方案、提升系统可靠性的理想半导体元件。
30N03A
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，最大连续电流高达100A，专为高功率、大电流应用设计，如电源转换和电机驱动，提供卓越的开关性能及低损耗表现。
MX50P03DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，额定电压30V，具备高达50A连续电流处理能力。专为高功率密度应用设计，广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统中，实现卓越能效与空间节省。
MX3404MI
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，专为30V电压系统设计，具备5A强大电流承载力。具有低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等设备中，实现高效能、稳定的功率控制功能。
SI4559ADY
SOP-8
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，适用于60V电压环境，额定电流6A。双通道设计支持正负电压控制，广泛应用于电池管理、电源转换器等场景，具备低导通电阻和高效开关性能，是现代电子设备理想的双向功率开关组件。
SI2301
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，提供3A电流承载能力。具有低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理等领域，实现高效、稳定的功率转换与控制功能。
AOD4132
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，最大连续电流100A，适用于高功率电源转换、电机驱动等应用，提供低阻抗、高效能的开关控制功能，满足大电流系统需求。
AON6362
DFN-8L(5x6)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压30V，连续电流高达70A。专为高功率密度和高效能应用设计，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，提供卓越的散热性能与空间利用率。
HN2194
DFN-8L(3x3)
MXsemi
晶体管
5000个/圆盘
本款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道驱动，额定电压30V，连续电流16A。专为高效、空间有限的电源转换、负载控制及电池管理系统设计，实现卓越的能效与紧凑布局，满足现代电子设备的多元化需求。
DMN26D0UFB4-7
DFN1006-3L
MXsemi
晶体管
10000个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用超微型DFN1006-3L封装，额定电压20V，最大连续电流0.7A。专为低功耗、紧凑型电路设计，适用于小型电源转换、信号切换及电池保护应用，提供卓越的能效和空间利用率。
12N65
TO-220F
MXsemi
晶体管
50个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-220F封装，具备650V高耐压及12A大电流承载能力，专为高功率电子设备设计，应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。
IRFP450
TO-247S
MXsemi
晶体管
30个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用TO-247S封装，具有500V高耐压及14A大电流承载能力，适用于高压电源转换、电机驱动等应用场合，提供高效能开关控制与卓越的功率管理解决方案。
MX3407MI
SOT-23-3L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
本款消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，搭载P沟道技术，额定电压为30V，连续电流高达4.1A，适用于各类电源管理和电子设备开关应用。凭借其小巧尺寸和高效性能，可实现高稳定性和低损耗的电路设计。
MX100N03D
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，峰值电流高达100A，专为高功率应用如电源转换、大电流电机驱动设计，提供低损耗、高效能的开关控制性能。
MX6800LI
SOT-23-6L
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该消费级MOSFET采用SOT-23-6L封装，集成双N沟道设计，额定电压30V，连续电流可达4.5A，适用于各类电源管理与高效切换应用。其紧凑结构及卓越性能，为电子设备提供理想的双通道功率控制解决方案。
IRFR5305T
TO-252-2L
MXsemi
晶体管
2500个/圆盘
本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具备60V高耐压及高效能的20A电流处理能力。专为中高压开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品中，有效提升电源转换效率与系统稳定性，是优化电路性能的理想半导体器件。
SI2307A
SOT-23
MXsemi
晶体管
3000个/圆盘
该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，具有4.2A大电流处理能力。具备出色的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场合，提供高效、稳定的功率控制解决方案。
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