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场效应管(MOSFET)
型号
封装
品牌
分类
圆盘信息
描述
MX4805S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，专为30V电压应用设计，提供双通道高效能导通，额定电流高达8.5A。适用于电池管理系统、电源转换和负载控制等场景，凭借其低导通电阻和快速开关特性，确保在各种电子设备中实现卓越的双向功率管理效能。
AOD2610E
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高功率N沟道半导体器件，具有60V的额定电压及惊人的80A电流承载能力。专为高效能电源转换与开关应用设计，以出色的稳定性和卓越能效，成为现代高性能电子设备的理想之选。
AOD4130
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，是一款高性能N沟道器件，具备60V的额定电压及30A的大电流处理能力。适用于各类电源转换、开关电路等应用，以高效能、低损耗和高稳定性，满足现代电子设备严苛需求。
FDS4559
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压60V，连续电流高达6A，特别适合于电池管理系统、电源转换等需要双向电压控制的场合。器件具备双通道设计，实现高效能与低导通电阻，确保在正负电压切换时表现出色，是现代电子产品中理想的功率开关元件。
MX4882S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
高性能N+N沟道MOSFET，采用SOP-8封装工艺，专为消费级市场打造。具备40V高耐压及高达12A的连续电流处理能力，特别适用于高效率电源转换、电机驱动等应用场合。本器件以卓越的低导通电阻和快速开关性能为核心优势，是优化系统能耗、提升设备性能的理想之选。
MX4403S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET采用紧凑SOP-8封装，专为30V电压系统设计，提供6A连续电流处理能力。适用于电池保护、电源开关和负载控制等应用，具备低导通电阻与快速切换性能，确保在各类消费电子设备中实现高效能、稳定可靠的功率管理。
MX302DF
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
本款消费级N+N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，双通道设计，额定电压30V，连电流高达30A。适用于高效电源转换、负载共享和电池管理系统等应用，提供卓越的集成度与功率处理能力，实现现代电子设备的小型化需求。
MX4842S
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
此款高性能消费级MOSFET采用SOP-8封装，内置双N沟道技术，额定电压30V，峰值电流可达8.5A。适用于各种高效电源转换场景，如充电设备、智能家电及消费电子的开关与功率控制。具备低导通电阻和高速开关性能
MX60N03D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，额定电压30V，具备60A大电流处理能力，专为高功率、高效能的电源转换与电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能及低损耗特性。
MX2300AI
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，针对20V电压系统设计，提供高达6A的连续电流处理能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及各类高效率电子应用中，实现高效能、稳定的功率转换与控制。
MX80N03D
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有30V额定电压和80A强大连续电流能力，专为高效能电源转换、大电流电机驱动等应用设计，提供卓越的开关性能与低损耗优势，满足高端消费电子设备需求。
FDV303N
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流为2.3A。拥有出色的低导通电阻和快速开关性能，特别适合应用于充电器、电源管理模块以及各类高效电子设备中，实现精确、节能的功率控制与转换。
AOD407
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款消费级P沟道MOSFET封装为TO-252-2L，工作电压高达60V，可稳定处理10A电流。专为中高压环境下消费电子设备的电源管理设计，以实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
AO4468
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压30V，连续电流为8.5A。适用于低至中等功率的电源转换、负载开关控制及电池管理系统应用，提供紧凑尺寸与高效能，是现代电子设备的理想选择。
AO4812
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装，集成双通道技术，额定电压30V，连续电流6A。专为高效电源转换、负载均衡及电池管理系统设计，实现小型化与节能优化，是现代电子设备的理想半导体组件。
IRLR8726TRPBF
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
这款消费级MOSFET采用先进的TO-252-2L封装，具备N沟道特性，额定电压30V，持续电流高达100A，适用于各类高效率电源转换与开关控制场景，性能稳定，节能高效。
AO4828
SOP-8
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款高性能消费级MOSFET采用SOP-8封装，集成双N沟道设计，适用于60V高电压应用环境，最大连续电流可达6.5A。适合于充电器、电源转换、逆变器等高效能电路中，提供低导通电阻和快速开关特性，有效提升系统效率，是现代节能电子设备的理想功率管理组件。
AO3414
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，适用于20V电压系统，具备2.3A连续电流处理能力。特别设计用于电池管理、电源开关及高效能电子设备中，具有出色的低导通电阻和快速切换性能，实现卓越的功率转换与控制效能。
AOD442
TO-252-2L
MXsemi
场效应管(MOSFET)
2500个/圆盘
此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装，具有60V工作电压和高达50A的大电流处理能力。专为优化现代消费电子产品开关性能设计，具备高效能、低损耗特点，显著提升系统效能与稳定性，是电源管理方案的理想核心组件。
AON3419
DFN-8L(3x3)
MXsemi
场效应管(MOSFET)
5000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，具有紧凑且高效的特点。额定电压30V，连续电流高达32A，适用于空间受限的电源转换、负载开关控制及电池管理系统应用场合，提供卓越的低导通电阻和高功率密度解决方案。
IRLML5103PBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
IRLML5103PbF是一款P沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，特别适用于空间有限的电路设计。该器件具有30V的额定电压VDSS，提供4.1A的连续电流ID，并且其导通电阻仅为48mR，保证了在中等功率应用中的高效能与低损耗。广泛应用于电源开关、电池保护电路以及各类负载驱动系统中，是电子工程师设计高效能方案的优选半导体元器件。
AO3407A
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
这款消费级P沟道MOSFET采用小巧的SOT-23封装，专为高效电源管理和负载开关应用设计。额定电压高达30V，持续电流可达4.1A，是低电压、大电流解决方案的理想选择，适用于各类便携式和空间受限电子设备的电路控制。
Si2301BDS
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
Si2301BDS是一款采用SOT-23封装的小型P沟道MOSFET，专为精密电源管理和便携式电子设备设计。其特色在于20V的最大工作电压VDSS，能稳定传输高达3A的连续电流，且导通电阻仅为60mR（RD(on)），实现了高效能与低功耗的完美结合。这款MOS管凭借其小巧的体积、优良的电气性能，适用于电池保护、DC/DC转换器及其他空间有限的电路应用。
IRLML2402TRPBF
SOT-23
MXsemi
场效应管(MOSFET)
3000个/圆盘
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载2.3A连续电流，适用于各类低电压、高效率电子应用。具备低导通电阻及快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及小型化设备的功率控制，提升系统效能。
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