艾司摩尔：EUV可助节电 100度电生产晶圆省电200度

                                                                                    艾司摩尔：EUV可助节电 100度电生产晶圆省电200度

                           （中央社记者张建中台北2024年9月6日电）艾司摩尔的EUV设备为半导体先进制程的关键设备，却有高耗电疑虑。艾司摩尔强调，EUV技术可简化制程工序，有助降低生产晶圆的用电量，估计2029年使用ASML微影技术生产晶圆每使用100度电，将为整体制程节省200度电。

                             艾司摩尔（ASML）今天分享新一代高数值孔径极紫外光（High NA EUV）微影技术，表示透过採用新的光学元件，将数值孔径从0.33提升至0.55，将提供更高的成像解析度，让晶片制造商可以在同样单位面积的晶片上实现较现今高出2.9倍的电晶体密度；且成像对比度较EUV提高40%，可大幅降低成像缺陷。

                             艾司摩尔High NA EUV产品管理副总裁史托姆斯（Greet Storms）说，客户透过导入High NA EUV，将可减少量产逻辑和记忆体晶片的制造工序，降低制程缺陷、成本和生产週期。High NA EUV将与EUV在设计方面有通用性，可降低客户的导入风险和研发成本。

                             艾司摩尔High NA EUV微影系统已于去年底开始陆续出货，每小时可曝光超过185片晶圆，将支援2奈米以下逻辑晶片及具有相似电晶体密度的记忆体晶片量产。

                             史托姆斯说，ASML现在所有客户未来也会是High NA EUV的客户，并已下订单，ASML将与客户紧密合作，预计2026年会迈向量产。

                              针对外界对于能耗的疑虑，艾司摩尔指出，先进制程晶片制造导入EUV技术可简化制程工序、减少光罩数量，达到产能和良率提升，并进而降低生产晶圆的用电量。

                              据估计，至2029年在先进制程中导入艾司摩尔EUV和High NA EUV微影系统，生产晶圆每使用100度电，将可为整体制程节省200度电。

                               艾司摩尔强调，不断致力透过研发创新降低能源消耗，并透过与客户密切合作，在提高生产力的同时，减少制造每片晶圆所产生的能耗。自2018年至2023年，EUV曝光每片晶圆的能耗减少近40%，预计2025年再减少能耗约30%至35%。（编辑：张良知）