技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

MMBT3904三极管参数-MMBT3904三极管

一、产品特征MMBT3904三极管作为一种重要的电子元件，在电路原理中起着重要的作用。其小型包装出色的性能在市场中很受欢迎。MMBT3904三极管在电子元件领域中发挥着不可或缺的作用，尤其是在中等电压和微电流应用场景中。其可靠性和稳定性为电路原理带来了确保。二、技术规格参数MMBT3904参数提供了对该三极管性能的详细了解。采用SOD-123封装，具备40V的反向耐压和0.35A的正向电流能力，这使得它能够在各种复杂的电路环境下工作。其卓越的正向导通电压VF低至0.6V，保证了高效率和低功耗的表现。适用于开关电源、高频转换器以及电池保护等精密 ...

2024

04-24

ZMM5V1稳压二极管参数-ZMM5V1稳压二极管

一、产品特征稳压二极管是电子元器件中的一种重要组成部分，其中ZMM5V1稳压二极管是一款性能优异的产品。ZMM5V1稳压二极管采用SOD-123封装，具有40V的反向耐压和0.35A的正向电流能力。其卓越的正向导通电压VF低至0.6V，确保了高效率与低功耗表现。在电子元器件领域中，ZMM5V1稳压二极管扮演着非常重要的角色，为各种电路提供稳定的电压保护和调节功能，广泛应用于开关电源、高频转换器以及电池保护等精密电路中。二、技术规格参数ZMM5V1稳压二极管的参数是了解其性能和应用范围的重要指标。采用SOD-123封装的ZMM5V1稳压二极管具 ...

2024

04-24

1N5819W肖特基二极管参数-1N5819W肖特基二极管

一、产品特征1N5819W肖特基二极管采用SOD-123封装，具有40V的反向耐压和0.35A的正向电流能力。其卓越的正向导通电压VF低至0.6V，确保了高效率与低功耗表现。在电子元件市场中，1N5819W肖特基二极管具有重要的地位，被广泛应用于开关电源、高频转换器及电池保护等精密电路中，为其提供高效稳定的电路保护和信号切换功能。二、技术规格参数针对1N5819W肖特基二极管的技术参数，该产品具有多项优越特性。采用SOD-123封装，40V的反向耐压和0.35A的正向电流能力，使其能够在各种精密电路中稳定运行。其0.6V的低正向导通电压确保了 ...

2024

04-24

LL4148开关二极管参数-LL4148开关二极管

一、产品特征LL4148开关二极管具备着100V反向耐压及0.2A正向电流容量的特点。其1V的正向导通电压VF确保了高效能运行。适用于电源转换、信号切换及电路保护等各类电子设备中，提供稳定可靠的开关功能。在电子元件市场中，LL4148开关二极管具有重要的地位，被广泛应用于各类电子设备中，为其提供高效稳定的电路保护和信号切换功能。二、技术规格参数针对LL4148开关二极管的技术参数，这款LL-34封装开关二极管具备着多种优越特性。100V的反向耐压和0.2A的正向电流容量，使其能够适用于各种电子设备，并且在实际应用中展现出了稳定可靠的性能。LL ...

2024

04-24

1N4148WS场效应管参数-1N4148WSMOS管

一、产品特征1N4148WS场效应管作为电子元件领域的一项重要成果，具有着不可忽视的特性和市场地位。其高反向耐压达到了100V，同时提供了0.3A的正向电流能力。其特点之一是具有较低的正向导通电压VF，仅为1.25V，这保证了其高效能与低功耗的表现。其采用紧凑型SOD-323封装，适应了现代小型化需求，因此在信号保护、稳压以及高频整流等领域得到了广泛的应用。二、技术规格参数1N4148WS参数的详细解读如下：该二极管采用SOD-323封装，具有100V的高反向耐压和0.3A的正向电流能力。值得注意的是，其正向导通电压VF仅为1.25V，这使得 ...

2024

04-23

AO3400-MX场效应管参数-AO3400-MXMOS管

一、产品特征AO3400-MX场效应管是电子元件领域的一颗明珠。作为一款消费级N沟道MOSFET，AO3400-MX拥有出色的特性，深受市场欢迎。在电子元件领域中，AO3400-MX具有重要地位，其在充电设备、电源管理等领域的广泛应用，为现代电子系统提供了高效稳定的功率转换与控制功能。二、技术规格参数AO3400-MX参数的详细解读如下：该款MOSFET采用紧凑的SOT-23封装，额定电压可达30V，可承载高达5.8A的大电流。其低导通电阻和快速开关性能使其在充电设备、电源管理等高效率电子系统中得到广泛应用。AO3400-MX不仅能够提供高效 ...

2024

04-23

SI2302-MX场效应管参数-SI2302-MXMOS管

一、产品特征SI2302-MX场效应管是电子元件领域的一款重要产品。作为一款消费级N沟道MOSFET，SI2302-MX拥有出色的性能和可靠性，深受市场青睐。在电子元件领域中，SI2302-MX扮演着重要角色，其在充电器、电源管理等方面的广泛应用，为现代电子产品的高效能耗提供了有力保障。二、技术规格参数SI2302-MX参数的详细解读如下：这款MOSFET采用了SOT-23封装，适用于20V电压系统，额定电流为2.8A。具有低导通电阻和快速开关功能，使其在充电器、电源管理等领域得到广泛应用。SI2302-MX不仅能够实现高效、稳定的功率转换与 ...

2024

04-23

SI2301-ZE场效应管参数-SI2301-ZEMOS管

一、产品特征SI2301-ZE场效应管是电子元件领域的一颗耀眼明星。作为一款优秀的P沟道MOSFET，SI2301-ZE以其出色的性能和可靠性赢得了市场的认可。在各类电子设备中，SI2301-ZE发挥着重要的作用，为充电器、电源管理等设备提供了高效、精准的功率控制解决方案。其在电子元件领域中的地位不言而喻。二、技术规格参数SI2301-ZE参数的详细解读如下：这款MOSFET采用了紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流达到2.3A。其低导通电阻和快速开关性能使其在各种电子设备中得到广泛应用。这些参数不仅体现了SI2301-Z ...

2024

04-23

2SJ562场效应管参数-2SJ562MOS管

一、产品特征2SJ562场效应管作为一款重要的电子元件，在电子元件领域中扮演着关键的角色。其主要特性包括优异的性能指标和稳定可靠的品质，使得它在市场上享有很高的地位。作为一种P沟道型MOS管，2SJ562具有出色的漏源电压、连续漏极电流和功率参数，适用于各种电子设备和应用场景。二、技术规格参数2SJ562参数详细解读如下：该器件属于P沟道型MOS管，漏源电压为30V，连续漏极电流可达6A，功率为2.5W，导通电阻为50mΩ@10V,7A。这些参数使得2SJ562在电路设计中具有出色的性能表现，广泛应用于各种电子领域。三、工作原理及应用1.工作 ...

2024

04-22

HM2305PR场效应管参数-HM2305PRMOS管

一、产品特征HM2305PR场效应管是电子元件领域中的重要组成部分。作为一款性能卓越的场效应管，HM2305PR在市场上享有很高的地位。其主要特性包括优异的漏源电压、高连续漏极电流和低导通电阻。这些特性使得HM2305PR在各种电子应用中都拥有广泛的用途。二、技术规格参数HM2305PR参数详细解读如下：该器件属于P沟道型MOS管，漏源电压为30V，连续漏极电流可达7.6A，导通电阻为50mΩ@10V,7.6A。这些参数使得HM2305PR在各种电路设计中具有出色的性能表现，适用于各种电子设备和应用场景。三、工作原理及应用工作原理 ...

2024

04-22