技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

AP9435GG场效应管参数-AP9435GGMOS管

一、产品特征AP9435GG场效应管做为电子元件领域的重要代表之一，拥有独特的特征和市场地位。这节将简单介绍它在电子元件领域的基本特点与作用，以帮助读者更好地了解和认知AP9435GG其价值。二、技术规格参数AP9435GG的参数包括P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7.6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,7.6A。这些参数的详细解读将有助于读者更深入地了解AP9435GG的技术特性和性能指标，为其在实际应用中的选择提供重要的参考依据。三、工作原理及应用1. 工作原理AP9435GG场效 ...

2024

04-18

XP162A12A6PR场效应管参数-XP162A12A6PRMOS管

一、产品特征XP162A12A6PR场效应管是电子元件领域的重要代表之一，其基本特性和市场地位至关重要。作为一款性能稳定、应用广泛的场效应管，它在电子元件领域中具有不可替代的地位。其优异的特性使得它成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选之一。二、技术规格参数XP162A12A6PR的参数包括P沟道，-30V，-7.6A，50mΩ@-10V。这些参数的详细解读将有助于读者全面了解XP162A12A6PR的技术性能和特点，为其在实际应用中的选择提供了重要的参考依据。三、工作原理及应用XP162A12A6PR场效应管的工作原理是电子元件领域中的关键之一 ...

2024

04-18

DMP3099L-7场效应管：技术规格参数、工作原理与应用电路全解析

一、产品特征DMP3099L-7场效应管，作为电子领域的瑰宝，展现着令人瞩目的特性。其市场地位不可忽视，因其在电子元件领域中的独特重要性。这款场效应管以其卓越的性能和稳定性，在各种电子应用中脱颖而出。不仅如此，其先进的技术使得DMP3099L-7在市场上占据着重要位置，成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选之一。二、技术规格参数DMP3099L-7参数展示了其在电子领域中的卓越表现。这款P沟道场效应管拥有30V的漏源电压、5.6A的连续漏极电流，以及在10V电压和5.6A电流下仅为46mΩ的导通电阻。这一系列技术规格参数体现了DMP3 ...

2024

03-12

CEA3055场效应管参数-CEA3055MOS管

一、产品特征CEA3055场效应管是电子元件领域的一颗明星，其独特的性能使其在市场中占据重要地位。作为一种N沟道MOS场效应管，以其稳定可靠的特性而著称。在各种电子设备中，它都发挥着不可或缺的作用，其高效的性能和可靠的质量为电子产品的稳定运行提供了强大的支持。二、技术规格参数CEA3055参数提供了重要的技术指标，这些指标直接影响着其在电路设计中的应用。该器件具有N沟道类型，漏源电压为60V，连续漏极电流达到8A，导通电阻在10V时为30mΩ，这些参数使得其能够在各种电路中发挥出色的性能。同时，这些参数也为工程师们提供了设计电路时的重要参考。 ...

2024

02-28

NTR0202PLT1G场效应管参数-NTR0202PLT1GMOS管

一、产品特征NTR0202PLT1G场效应管是电子元件领域中一款备受瞩目的产品。其基本特性包括P沟道类型、漏源电压(Vdss)为20V、连续漏极电流(Id)为5A、功率(Pd)为2.5W、导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为35mΩ@10V,5.1A。作为一种高性能的MOS管，它在电源管理、驱动电路等领域发挥着重要作用。在市场上，其享有良好的声誉，备受技术人员和制造企业采购的青睐。其稳定可靠的性能为电子产品的研发和生产提供了强大的支持。二、技术规格参数NTR0202PLT1G参数是了解该产品的重要指标之一。作为P沟道场效应管，它具有20 ...

2024

02-27

HM3400PR场效应管参数-HM3400PRMOS管

一、产品特征HM3400PR场效应管是电子元件领域的重要商品。其具有性能高、稳定性强的特点，广泛应用于各种电子设备中。作为一种良好的场效应管，在电池管理、功率放大、开关控制等方面起着重要作用。其市场地位坚固，备受工程师和制造企业的青睐。它利用其稳定可靠的特性，为电子元器件的研发和生产提供了坚实的支撑。二、技术规格参数HM3400PR参数是了解该产品的重要指标之一。该MOS管的类型为N沟道，漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)为6.8A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为22mΩ@4.5V,6.8A。这些参数直接影响着它的 ...

2024

02-27

SI4840DY-T1-E3场效应管参数-SI4840DY-T1-E3MOS管

一、产品特征做为电子元件行业关键商品，SI4840DY-T1-E3场效应管拥有多种优质特性，备受市场青睐。其基本特点包含性能高、稳定性强、应用范围广等特点。它在电子元件行业发挥着不可替代的作用，为各类电路原理提供了可靠的运用。把握基本特点和市场地位，做为方案工程师、技术人员和制造企业采购员至关重要。二、技术规格参数SI4840DY-T1-E3参数如下：N沟道漏源电压(Vdss)为40V，连续漏极电流(Id)为12A，功率(Pd)为6W，导通电阻(RDS(on))在10V电压下为10mΩ。这些技术参数决定了在电路设计中的性能和应用场景。详细解读 ...

2024

02-27

SI4848DY-T1-E3场效应管参数-SI4848DY-T1-E3MOS管

一、产品特征 SI4848DY-T1-E3场效应管是电子元件领域中备受瞩目的产品之一。其具有优异的特性，市场地位显著，并在电子元件领域中扮演着重要角色。SI4848DY-T1-E3的特性包括高电压容忍度、可靠性强以及高效能的特点，这使得它在各种电路设计中都具备了重要作用。作为方案工程师、技术人员以及制造企业采购人员，了解它的特性和市场地位对于选择合适的元器件至关重要。 ...

2024

02-27

SI2333DS-T1-GE3场效应管参数-SI2333DS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2333DS-T1-GE3场效应管做为电子元件行业备受瞩目的产品之一，以其不凡特点和可靠性而稳居市场前端。他在电子设备中起着重要作用，不但广泛用于电池管理、光耦合电路等领域，并且在各种信号分析和通讯设备中发挥着主导地位。因其优异的性能和稳定性，SI2333DS-T1-GE3场效应管为电子元件领域提供了重要的支撑确保。二、技术规格参数SI2333DS-T1-GE3参数详细解读如下：类型为P沟道漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)可达5A，功率(Pd)为2.5W，导通电阻(RDS(on))在10V电压下为35mΩ，5 ...

2024

02-27

IRFR3710ZTR场效应管参数-IRFR3710ZTRMOS管

一、产品特征IRFR3710ZTR场效应管作为一种重要的电子元件，在电子元件领域具有重要地位。其基本特性包括高达100V的N沟道漏源电压（Vdss），可连续承受60A的漏极电流（Id），以及在10V时的导通电阻仅为18.5mΩ。它在电源管理、电机驱动等领域中发挥着重要作用，为电路设计提供了可靠性和稳定性的保障。在市场上，因其稳定可靠的性能和广泛的应用领域而备受青睐，被广泛应用于各种电子设备和系统中。二、技术规格参数IRFR3710ZTR的技术参数如下：该场效应管采用N沟道设计，具有100V的漏源电压，能够承受高达60A的连续漏极电流。其在10 ...

2024

02-27