技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

TP0610K-T1-E3场效应管参数-TP0610K-T1-E3MOS管

一、产品特征TP0610K-T1-E3场效应管作为电子领域中的关键组件，具有重要的特性和市场地位。其在电子元件领域中的重要性不可低估。它以其稳定性、可靠性和性能优势而闻名，被广泛应用于各种电子设备中。其市场地位稳固，是方案工程师、技术人员和制造企业采购方的首选之一。二、技术规格参数TP0610K-T1-E3参数为N沟道场效应管，具体参数如下：漏源电压(Vdss)为60V，连续漏极电流(Id)为18.2A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为73mΩ@10V,18.2A。这些参数反映了其在电路中的关键性能和特点。三、工作原理及 ...

2024

02-22

EMB60N06A场效应管参数-EMB60N06AMOS管

一、产品特征EMB60N06A是一款N沟道场效应管，具有以下关键参数：漏源电压(Vdss)为60V，连续漏极电流(Id)为18.2A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为73mΩ@10V,18.2A。这些参数不仅反映了它在电路中的重要性，也展示了其优异的性能特点。深入解读这些参数，有助于更好地理解和应用EMB60N06A。二、技术规格参数EMB60N06A是一种N沟道场效应管，其基本工作原理是利用电场调控导电性质的特性。当施加到栅极的电压改变时，沟道内的载流子浓度受到电场的影响而发生变化，进而影响了沟道的导电能力。通过这种方式，可以控制 ...

2024

02-22

SIR422DP-T1-GE3场效应管参数-SIR422DP-T1-GE3MOS管

一、产品特征SIR422DP-T1-GE3场效应管是电子领域中备受关注的产品之一。作为N沟道场效应管，它具有出色的性能和可靠的品质，在市场上占据着重要的地位。其稳定的性能和广泛的应用领域使得其成为电子元件领域中不可或缺的一部分。二、技术规格参数SIR422DP-T1-GE3参数如下：N沟道场效应管，漏源电压(Vdss)为40V，连续漏极电流(Id)为70A。这些技术参数直观地展示了它的优异性能和强大的电流承载能力，使其在各种电子电路中发挥着重要作用。三、工作原理及应用1. 工作原理SIR422DP-T1-GE3场效应管的 ...

2024

02-22

SIR422DP-T1-GE3场效应管参数-SIR422DP-T1-GE3MOS管

一、产品特征SIR422DP-T1-GE3场效应管是电子领域中备受关注的产品之一。作为N沟道场效应管，它具有出色的性能和可靠的品质，在市场上占据着重要的地位。其稳定的性能和广泛的应用领域使得其成为电子元件领域中不可或缺的一部分。二、技术规格参数SIR422DP-T1-GE3参数如下：N沟道场效应管，漏源电压(Vdss)为40V，连续漏极电流(Id)为70A。这些技术参数直观地展示了它的优异性能和强大的电流承载能力，使其在各种电子电路中发挥着重要作用。三、工作原理及应用1. 工作原理SIR422DP-T1-GE3场效应管的 ...

2024

02-22

2N7002LT1G场效应管参数-2N7002LT1GMOS管

一、产品特征2N7002LT1G场效应管是电子元件领域备受瞩目的产品。作为一种N沟场效应管，它具有良好的特性和稳定的品质，在市场中享有很高的地位。它的重要性不言而喻，他在电子元件领域起着重要作用。不论是在数据电子产品或是电源管理系统中，它都能发挥出特色优势，为提升设备提供可靠可用。二、技术规格参数2N7002LT1G的参数为N沟道场效应管，最大漏源电压(Vdss)为60V，最大连续漏极电流(Id)为0.3A，导通电阻(RDS(ON))为2800mΩ@10V和3000mΩ@4.5V，栅源电压(Vgs)范围为±20V，阈值电压(Vth)为1.6V ...

2024

02-22

WNM2016-3场效应管参数-WNM2016-3MOS管

一、产品特征WNM2016-3场效应管是电子元件领域中的一颗明星。其具有出色的性能和稳定的品质，使其在市场上拥有重要地位。作为一款N沟道场效应管，它具有独特的特性，能够在各种电路中发挥重要作用。其高可靠性、低功耗等特点，使其在现代电子设备中广泛应用。二、技术规格参数WNM2016-3参数方面，其漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)为6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为28mΩ@4.5V,6A。这些技术参数展现了它在电子领域中的强大性能。其稳定的工作参数为各种电子设备的设计与应用提供了坚实的基础。三、工作原 ...

2024

02-22

IRF7105TRPBF场效应管参数-IRF7105TRPBFMOS管

一、产品特征IRF7105TRPBF场效应管是电子领域的重要组成部分。作为一种场效应管，它具有许多独特的特征，包含高效、节能型、高可靠性等。它在市场中具有较高的地位，广泛应用于各种电子设备中。其在电池管理、电机控制等行业都发挥着至关重要的作用。二、技术规格参数IRF7105TRPBF的技术参数包括：N沟道和P沟道漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）为8A，导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）为18mΩ@10V,8A。这些参数直接影响着该场效应管的性能和应用范围。例如，其较低的导通电阻使其在功率控制电路中具有较低的能量损耗，从 ...

2024

02-21

APM4050PUC-TRL场效应管参数-APM4050PUC-TRLMOS管

一、产品特征APM4050PUC-TRL场效应管作为一种重要的电子元件，在电子领域具备显著的特点与地位。其高性能、稳定性和可靠性使之成为方案工程师、技术人员和制造购置的首选之一。APM4050PUC-TRL场效应管在电子元件领域是至关重要的，广泛用于电源管理系统、气动工具控制回路等各类电路中。二、技术规格参数APM4050PUC-TRL参数展示了其卓越的技术实力。作为一款P沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)为40V，连续漏极电流(Id)为50A。这些技术参数直观地展示了它的性能特点，为用户提供了重要的参考信息，有助于他们在设计电路时做出准确 ...

2024

02-21

SI2333CDS-T1-GE3场效应管参数-SI2333CDS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2333CDS-T1-GE3场效应管是一种备受瞩目的电子元件，拥有独特的特性。SI2333CDS-T1-GE3场效应管做为电子领域的重要组成部分，在各类电路中尤为重要。其稳定性、效率和稳定性获得了广泛市场认可，成为很多处理方案工程师、技术人员和制造购置的首选之一。二、技术规格参数SI2333CDS-T1-GE3参数展示了其卓越的技术实力。作为一款P沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)为5A，功率(Pd)为2.5W，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为35mΩ@10V,5.1A。这些参数直观地 ...

2024

02-21

RUF025N02场效应管参数-RUF025N02MOS管

一、产品特征RUF025N02场效应管是一种具有独特特色的关键电子元件。作为市场上备受瞩目的产品之一，他在电子领域起着重要作用。RUF025N02场效应管以其稳定性、高效性和可靠性而著称，广泛应用于各种电子设备中。其市场地位突出了其在现代电子领域的功效。二、技术规格参数RUF025N02参数详细而全面，具体包括：N沟道、漏源电压(Vdss)为20V、连续漏极电流(Id)为4A、导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为36mΩ@10V,4A等。这些参数直观地展示了它的技术特性，为用户提供了重要的参考信息。三、工作原理及应用1.&n ...

2024

02-21