技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

SI1555DL-T1-GE3场效应管：技术规格参数、工作原理与应用电路全解析

一、产品特征SI1555DL-T1-GE3场效应管是电子元件领域中的重要组成部分。作为一款先进的场效应管，它具有诸多优良特性，在市场上享有良好的声誉。SI1555DL-T1-GE3具备高性能、低功耗和稳定性等特点，因此在电子元器件领域中地位显赫。其可靠性和多功能性使其成为方案工程师、技术人员和制造企业采购的首选。二、技术规格参数SI1555DL-T1-GE3参数是了解该产品的重要依据。它采用了1个N沟道和1个P沟道设计，漏源电压(Vdss)为20V。这些参数决定了SI1555DL-T1-GE3在各种电路中的应用范围和性能表现。通过详细解读这些 ...

2024

02-21

IRFR9024TRPBF场效应管参数-IRFR9024TRPBFMOS管

一、产品特征IRFR9024TRPBF场效应管是电子元件领域的重要组成部分。作为一款先进的场效应管，它具有出色的性能和稳定性，在市场上享有良好的地位。其基本特性包括高效能、低功耗以及优异的温度稳定性，使其成为电子制造业中不可或缺的一环。二、技术规格参数IRFR9024TRPBF参数是了解该产品的重要依据。它是一款P沟道场效应管，具有60V的漏源电压(Vdss)和30A的连续漏极电流(Id)。这些参数决定了该器件在各种电路中的应用范围和性能表现，使其成为众多电子项目中的首选元器件。三、工作原理及应用1. 工作原理IRFR9 ...

2024

02-21

IRLR3103TRPBF场效应管参数-IRLR3103TRPBFMOS管

一、产品特征IRLR3103TRPBF场效应管作为电子元件领域的关键产品，具有许多突出的特性。作为N沟道MOS管，它在市场上拥有重要的地位。具备30V的漏源电压(Vdss)和80A的连续漏极电流(Id)，其展现出了优异的电性能。其在电子元件领域中的重要性不言而喻，可以广泛应用于各种电路中，为电子设备的稳定运行提供了可靠的支持。二、技术规格参数IRLR3103TRPBF的技术参数反映了其在电子领域中的出色表现。作为N沟道MOS管，它具有30V的漏源电压(Vdss)和80A的连续漏极电流(Id)，适用于各种电路的电压和电流要求。此外，它还具备优异 ...

2024

02-21

IRF5805TRPBF场效应管参数-IRF5805TRPBFMOS管

一、产品特征IRF5805TRPBF场效应管作为电子元件领域的重要组成部分，具有多项突出特性。其在P沟道MOS管中的市场地位不可忽视。拥有优异的漏源电压(Vdss)达30V以及连续漏极电流(Id)达4.8A，表现出卓越的功率处理能力。此外，其导通电阻(RDS(on))仅为49mΩ@10V,4.8A，为各种电路提供了稳定而高效的电流传输。其在电源管理、电机控制等领域广泛应用，为电子设备的稳定运行提供了重要支持。二、技术规格参数IRF5805TRPBF参数展示了其在电子领域中的卓越性能。作为P沟道MOS管，其漏源电压(Vdss)达到了30V，能够 ...

2024

02-21

AOD2210场效应管参数-AOD2210MOS管

一、产品特征AOD2210场效应管作为电子元件领域的重要组成部分，具有多项突出特性。首先，其在N沟道MOS管中的市场地位不可忽视。拥有优异的漏源电压(Vdss)达200V以及连续漏极电流(Id)达30A，表现出出色的功率处理能力。此外，其导通电阻(RDS(on))极低，仅55mΩ@10V,3A，为各种电路提供了稳定而高效的电流传输。其在电源管理、电机控制等领域广泛应用，为电子设备的稳定运行提供了重要支持。二、技术规格参数AOD2210参数展示了其在电子领域中的卓越性能。作为N沟道MOS管，其漏源电压(Vdss)达到了200V，能够承受较高的电 ...

2024

02-21

AO3409场效应管参数-AO3409MOS管

一、产品特征AO3409场效应管是一种具有出色电气特性和稳定性的高性能P沟MOS场效应管。其作为一种重要的电子元件，在市场中起着重要作用。他在电子元件行业内的功效不可小看，广泛应用于各种电路和设备上，为电子设备特性的提高和稳定性提供了有力的适用。二、技术规格参数AO3409参数如下：P沟道漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)为5.6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为46mΩ@10V,5.6A。这些技术参数直观地展示了他的性能特点，为工程师们在设计电路时提供了重要参考。三、工作原理及应用1. 工作原理AO3 ...

2024

02-20

SI2371EDS-T1-GE3场效应管参数-SI2371EDS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2371EDS-T1-GE3场效应管作为电子领域中的重要组成部分，具有许多独特的特性。其基本特性包括P沟道结构、30V的漏源电压、5.6A的连续漏极电流和46mΩ@10V,5.6A的导通电阻。作为市场上备受关注的产品之一，它在电子元件领域拥有重要地位。其优异的性能和稳定性使其在功率控制、电源管理等领域广泛应用，为电子行业的发展提供了重要支持。二、技术规格参数SI2371EDS-T1-GE3参数反映了其在电路中的性能表现。作为一款P沟道场效应管，其漏源电压为30V，连续漏极电流为5.6A，导通电阻在10V时为46mΩ，这些参数的 ...

2024

02-20

ME15N10场效应管参数-ME15N10MOS管

一、产品特征ME15N10场效应管是电子领域中的重要组成部分。其基本特性包括高漏源电压、大连续漏极电流和低导通电阻。作为市场上备受关注的产品之一，它在电子元件领域具有重要地位。其优异的性能和稳定性使其在功率控制、电源管理等领域广泛应用。二、技术规格参数ME15N10参数反映了其在电路中的性能表现。作为一款N沟道场效应管，它具有100V的漏源电压和15A的连续漏极电流。此外，其导通电阻在10V时为114mΩ，具有较低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。这些技术参数的优秀表现使得它在各种应用场景中都能够发挥出色的性能，得到了广泛的应用和认可。&nb ...

2024

02-20

AOD407场效应管参数-AOD407MOS管

一、产品特征AOD407场效应管是电子领域的重要组成部分。其基本特点包含出色的电气特性和稳定性，随后广泛应用于各种电路中。其做为市场中的领跑商品，在功率控制、电池管理等行业起着重要作用。其高效、高可靠性和出色的性能使之备受方案工程师、技术人员和制造购置的喜欢。AOD407在如今的电子元件市场中扮演着不可替代的角色。二、技术规格参数AOD407参数反映了其在电路中的性能表现。作为一款P沟道场效应管，它具有60V的漏源电压和30A的连续漏极电流。此外，其导通电阻在10V时为61mΩ，具有较低的导通电阻，能够有效降低功率损耗。这些技术参数的优秀表现 ...

2024

02-20

BSS84LT1G场效应管参数-BSS84LT1GMOS管

一、产品特征BSS84LT1G场效应管是一款性能优异的MOS管，具有广泛的市场应用和重要性。其特性包括卓越的性能和可靠性，是电子元件领域中不可或缺的组成部分。作为一种P沟道MOS管，它在各种电路中发挥着重要作用，为方案工程师、技术人员和制造企业采购提供了稳定可靠的解决方案。二、技术规格参数BSS84LT1G的技术参数如下：P沟道，最大漏极电压(Vdss)为-60V，最大漏极电流(Id)为-0.5A。在10V的栅源电压下，导通电阻(RDS(ON))为3000mΩ，而在4.5V时为3680mΩ。额定栅源电压(Vgs)为20V(±V)，阈值电压(V ...

2024

02-19