技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

NDS351AN-NL场效应管参数-NDS351AN-NLMOS管

一、产品特征NDS351AN-NL场效应管是一种重要的N沟道MOS场效应管，具有优异的性能和稳定性。在电子元件领域中，它扮演着重要的角色。其基本特性包括高达30V的最大漏极电压(Vdss)，6.5A的最大漏极电流(Id)，以及低导通电阻(RDS(ON))，分别为30mΩ@10V和33mΩ@4.5V。它在市场上享有良好的地位，备受方案工程师、技术人员和制造企业采购的青睐。其重要性在于为电子元器件的设计和应用提供了关键支持。二、技术规格参数NDS351AN-NL参数详细解读如下：N沟道，最大漏极电压(Vdss)为30V，最大漏极电流(Id)为6. ...

2024

02-19

AOD472场效应管参数-AOD472MOS管

一、产品特征AOD472场效应管是一款重要的电子元件，在现代电子领域中发挥着关键作用。作为一款N沟道场效应管，其具有出色的性能和稳定性，被广泛应用于各种电子电路中。其市场地位稳固，备受方案工程师、技术人员和制造企业采购的青睐。它的重要性在于其优异的特性，为电子元器件的设计和应用提供了重要的支持。二、技术规格参数AOD472参数包括N沟道漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)为65A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为6mΩ@4.5V,65A。这些参数的详细解读对于工程师和技术人员设计和选择电子元器件至关重要。它的技术参数反 ...

2024

02-19

FDC658AP场效应管参数-FDC658APMOS管

一、产品特征FDC658AP场效应管是一种关键的电子元件，在现代电子领域中扮演着重要角色。作为一款P沟道场效应管，其具有出色的性能和稳定性，广泛应用于各种电路中。其高性能和可靠性使其在市场中拥有较高的地位，备受工程师和制造企业的青睐。二、技术规格参数FDC658AP参数为P沟道场效应管，具有30V的漏源电压(Vdss)，4.8A的连续漏极电流(Id)，以及49mΩ@10V,4.8A的导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)。这些参数反映了其在电路设计中的重要性和稳定性。详细解读这些技术参数有助于工程师更好地理解和应用它。三、工作原 ...

2024

02-19

SI4840BDY-T1-E3场效应管参数-SI4840BDY-T1-E3MOS管

一、产品特征SI4840BDY-T1-E3场效应管作为一种重要的电子元件，在电子领域拥有独特的地位和价值。针对方案工程师、技术人员以及制造企业业务员而言，其本质特征和市场地位尤为重要。SI4840BDY-T1-E3场效应管以其可以信赖、性能指标等特点而备受欢迎，广泛用于电池管理、光耦电路等领域。他在电子元件领域的重要性不言而喻，为各类电子设备的正常运行提供了坚实的基本可用。二、技术规格参数SI4840BDY-T1-E3参数展示了其关键技术指标，包括沟道类型、漏源电压、连续漏极电流等。作为一款N沟道MOS场效应管，其具有40V的漏源电压和12A ...

2024

02-19

FDC2512场效应管参数-FDC2512MOS管

一、产品特征FDC2512效用管是当代电子元器件行业的明珠。其基本特点突显，市场地位显著，对电子元器件行业具有重要意义。FDC2512以其高效、平稳、靠谱的特征而受到广泛关注。其做为电子元器件行业的重要组成部分，在各类电子设备中发挥着不可或缺的作用。其市场地位坚固，获得了普遍认可。二、技术规格参数FDC2512参数包括：N沟道、漏源电压(Vdss)为100V、连续漏极电流(Id)为3.2A、导通电阻(RDS(on))在Vgs为10V时为95mΩ。这些参数反映了它在不同工作条件下的性能特点。N沟道设计使其在各种电子电路中都能稳定可靠地发挥作用。 ...

2024

02-19

NVTR4502PT1G场效应管参数-NVTR4502PT1GMOS管

一、产品特征NVTR4502PT1G场效应管是现代电子领域备受瞩目的元件之一。其优异的性能和广泛应用领域在市场中占有重要地位。NVTR4502PT1G场效应管因其高效、平稳、靠谱的特征而著称。它做为电子元件领域的关键构成部分，在各类电子设备中发挥着不可或缺的作用。它广泛用于电源管理系统、光耦电路等什么场合。它依据电子元件的高性能和可靠性要求，为电子设备的发展提供了有力的适用。二、技术规格参数NVTR4502PT1G场效应管的技术参数是其性能的关键指标。它是一款P沟道MOS管，具有-30V的漏源电压和-5.6A的连续漏极电流。其导通电阻在不同电 ...

2024

02-19

IRF7811AVTRPBF场效应管参数-IRF7811AVTRPBFMOS管

一、产品特征IRF7811AVTRPBF场效应管做为电子领域的重要组成部分，在市场中占有重要地位。其基本特点包含N沟构造、漏源电压(Vdss)为20V、持续漏极电流(Id)为12A等。在电子元件行业，IRF7811AVTRPBF场效应管以其稳定性强、性能靠谱而备受关注。它在电力管理系统、电动汽车控制系统等大型系统、通讯设备、消费电子产品等领域中发挥着不可或缺的作用，满足了不同场所性能稳定和功耗掌控的必须。因其在行业和行业内的功效，获得了广泛的认可。二、技术规格参数IRF7811AVTRPBF参数为N沟道漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电 ...

2024

02-19

AO4813场效应管参数-AO4813MOS管

一、产品特征AO4813场效应管是当代备受瞩目的电子元件之一，在电子产业中起着重要作用。它因其效率高、稳定性强、稳定性高而著称。其做为电子元件领域的领导者之一，在各类电子设备中发挥着至关重要的作用。不论是在大型电力管理系统、电动汽车控制系统、消费电子产品、通讯设备等行业，它都能满足不同场地对特性稳定性和功耗掌控的严格管理。其优异的性能和广泛应用范畴，进而在市场和行业里具备崇高的地位和广泛的认可。二、技术规格参数AO4813参数提供了对该场效应管性能的详细了解。AO4813属于P沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id) ...

2024

02-19

TPC8104-H场效应管参数-TPC8104-HMOS管

一、产品特征TPC8104-H场效应管是一种备受瞩目的电子元件，在市场中起着重要作用。其基本特点包含效率高、稳定性强、稳定性高等优点，使之成为电子领域的佼佼者之一。它不但广泛用于电力管理系统、电动汽车控制系统等大型系统内，并且在消费电子产品、通讯设备等行业也起着重要作用。它可满足功耗操作或品质稳定性的需求。其优异的性能赢得了市场和行业普遍认可。二、技术规格参数TPC8104-H参数是把握与评价效用管特点的关键因素。根据我国参数信息，TPC8104-H是一种具有30V漏源电压的P沟场效应管(Vdss)5.8A的持续漏极电流(Id)。这些参数直接 ...

2024

02-19

SI4948BEY-T1-E3场效应管参数-SI4948BEY-T1-E3MOS管

一、产品特征SI4948BEY-T1-E3场效应管是电子元件领域的璀璨明星，以其卓越的特性和市场地位备受瞩目。在市场上，它凭借其先进技术和卓越性能，不仅赢得了业界认可，更成为方案工程师、技术人员和制造企业采购的首选之一。其基本特性包括稳定性、高效能和可靠性，为电子元件领域注入了新的活力。二、技术规格参数SI4948BEY-T1-E3的技术规格使其在各种应用场景中脱颖而出。拥有2个P沟道的设计，漏源电压高达60V，连续漏极电流可达2.4A，功率达1.4W。关键的导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为12mΩ@10V,3.1A。这些参数为工程 ...

2024

02-12