技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

FR5505场效应管参数-FR5505MOS管

一、产品特征FR5505场效应管做为电子元件领域的明星产品，具备独特而引人注目的特性。其基本特点不仅体现在60V泄露电压和25A持续漏电流上，更体现在其在市场上突显地位上。FR5505场效应管在电子元件领域因其高性能和稳定性而获得普遍认可，为电路原理提供了强有力运用。其在市场上重要性不仅在于其技术特征，更在于其在市场上领先地位。二、技术规格参数FR5505参数详细解释是充分了解效用管重要。该MOS管不仅有着60V沟漏电压和25A持续漏极电流，并且具有53mΩ@10V，25A导电阻性能出色。这一性能参数促进它在电子领域备受推崇。其技术规格的优势 ...

2024

02-11

NTR1P02T1G场效应管参数-NTR1P02T1GMOS管

一、产品特征NTR1P02T1G场效应管，作为电子元件领域的璀璨之星，具有一系列引人注目的特性。其市场地位备受认可，成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选之一。它以其卓越性能在电子领域中扮演着举足轻重的角色。其基本特性包括高度的导通电阻，低沟道电压，以及优异的稳定性，使其在各种应用场景中脱颖而出。二、技术规格参数NTR1P02T1G参数的详细解读将有助于更好地理解其性能。采用P沟道设计，其漏源电压为-20V，连续漏极电流为-4A，而在4.5V和2.5V时，导通电阻分别为57mΩ和83mΩ。此外，其电压门限为-0.81V，采用SOT23 ...

2024

02-11

AP2306GN场效应管参数-AP2306GNMOS管

一、产品特征AP2306GN场效应管是电子元件行业最热门的产品之一。其基本特点突显，市场地位突显，在电源管理系统和功率放大电路等领域彰显了主导地位。它以其高性能和广泛适用性，已成为很多电子产品设计中不可缺少的一部分。在竞争激烈的市场中，AP2306GN优异，获得了广泛的认可。二、技术规格参数AP2306GN的技术参数在电子元件行业拥有独特的竞争优势。做为N沟场效应管，其走电电压(Vdss)20V，持续漏极电流(Id)可达6A，导通电阻(RDS(on))在4.5V电压下仅有28mmΩ，为6A中向28mΩ。这一出色的技术参数授予它优异的性能，从而 ...

2024

02-11

2N7002E场效应管参数-2N7002EMOS管

一、产品特征做为电子元件行业重要组成部分，2N7002E场效应管拥有独特的特征和重要的市场地位。其基本特征是高性能和稳定性，为方案工程师、技术人员以及制造企业顾客增添了出色的挑选。它在电子领域的功效不仅体现在其出色的性能上，也体现在其在市场上牢靠地位上。二、技术规格参数2N7002E参数显示了它在N沟漏源电压、持续漏极电流、功率和导电阻等方面出色表现。该MOS管具备60V漏源电压和340ma持续漏极电流，确保了其在各类电路原理里的高度稳定性。功率和导电阻性能是使其变成电子元件的中流砥柱。详细解读其性能参数，有益于工程师更好地了解与应用这类场效 ...

2024

02-10

BSS138DW-7-F场效应管参数-BSS138DW-7-FMOS管

一、产品特征BSS138DW-7-F场效应管是一款在电子元件领域备受瞩目的产品。其基本特性和市场地位使其成为行业中的佼佼者。拥有卓越的性能，它在电子设计中占据着重要的地位。其在各种电路中的广泛应用，使其成为方案工程师、技术人员和制造企业采购的首选。二、技术规格参数BSS138DW-7-F参数展现了其在电子元件领域中的强大技术实力。这款MOS管采用2个N沟道设计，具有出色的漏源电压(Vdss)为60V，以及连续漏极电流(Id)为300mA的性能。三、工作原理及应用1. 工作原理BSS138DW-7-F场效应管的工作原理基于电场的调控 ...

2024

02-10

FR5305场效应管参数-FR5305MOS管

一、产品特征FR5305场效应管是一款在电子元件领域备受瞩目的产品。其基本特性和市场地位使其成为行业中的佼佼者。拥有卓越的性能，在电子设计中占据着重要的地位。其在各种电路中的广泛应用，使其成为方案工程师、技术人员和制造企业采购的首选。二、技术规格参数FR5305参数展现了其在电子元件领域中的强大技术实力。这款P沟道场效应管采用了先进的设计，具有出色的漏源电压(Vdss)为60V，连续漏极电流(Id)为50A的性能。其导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为20mΩ@10V,50A，显示出在高功率应用中的卓越表现。它的技术参数使其成为电子设计 ...

2024

02-10

AOD484场效应管参数-AOD484MOS管

一、产品特征AOD484场效应管做为电子元件领域的瑰宝，以其优异的性能在市场中独树一帜。该效用管在电子产品中起着重要的作用，不但因其高度稳定的性能而受到欢迎，并且以其广泛应用领域而占有市场主导地位。其基本特点，如导电电阻、走电电压等，可在各种电路中发挥不凡功效，变成工程师和技术人员的优选组成部分之一。在电子元件领域，AOD484场效应管不仅是一种器件，更是一种推动科技创新的模块。二、技术规格参数AOD484参数的详细解读是理解其性能的关键。作为一款N沟道场效应管，AOD484具备30V的漏源电压、50A的连续漏极电流，以及出色的导通电阻表现（ ...

2024

02-10

FDS8447-NL场效应管参数-FDS8447-NLMOS管

一、产品特征FDS8447-NL场效应管做为电子元件领域的佼佼者，以其非凡的特性在市场中占有重要地位。他在电子元件行业内的功效不可忽视，广泛应用于各种电子设备中。它L的基本特点，因其稳定的性能和出色的导电率，变成方案工程师、技术人员以及制造购置的首选。FDS8447-NL场效应管在竞争激烈的前提下，因其出色的特性，在业内独树一帜。二、技术规格参数FDS8447-NL的技术规格参数为N沟道类型，具备40V的漏源电压和12A的连续漏极电流。这些参数不仅直观地反映了该场效应管的性能，同时为工程师和技术人员提供了在设计电路时的重要参考。通过详细解读F ...

2024

02-10

NTR4501NT1G场效应管参数-NTR4501NT1GMOS管

一、产品特征NTR4501NT1G场效应管，作为电子领域的明星产品，以其独特的特性在市场中占据重要地位。具备N沟道、20V的漏源电压、6A的连续漏极电流，以及RDS(ON)为24mΩ@4.5V、33mΩ@2.5V的导通电阻。市场上，以其卓越的性能和可靠性备受推崇，在电子元件领域扮演着不可或缺的角色。二、技术规格参数NTR4501NT1G参数展示了这款MOS管的卓越性能。N沟道、20V的漏源电压、6A的连续漏极电流，以及RDS(ON)为24mΩ@4.5V、33mΩ@2.5V的导通电阻，使其在各种电子应用中表现卓越。此外，8Vgs(±V)的门源电 ...

2024

02-10

MTD6P10ET4场效应管参数-MTD6P10ET4MOS管

一、产品特征MTD6P10ET4场效应管是电子元件领域的瑰宝。其基本特性突显在市场地位的独特之处，为电子工程师和制造企业采购人员提供了卓越的选择。这款场效应管不仅在设计上精湛，而且在性能上卓越，成为电子领域的焦点。其重要性不仅体现在可靠性和高性能上，更在于其应用领域的广泛性，为电路设计带来了更大的灵活性和创新空间。MTD6P10ET4场效应管的崭新特性，让其成为方案工程师和技术人员不可或缺的选择。二、技术规格参数MTD6P10ET4参数展示了其在P沟道漏源电压、连续漏极电流、功率及导通电阻方面的卓越表现。作为一款P沟道MOS管，它具有出色的电 ...

2024

02-10