技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

IRF7811AVTR场效应管参数-IRF7811AVTRMOS管

一、产品特征IRF7811AVTR场效应管作为电子元件领域的一颗明星，其基本特性及市场地位引人注目。具有N沟道设计，连续漏极电压高达20V，漏极电流可达12A，而导通电阻(RDS(on))仅为12mΩ@10V,12A。这使得其在各种电子应用中脱颖而出，成为业内备受推崇的元器件之一。在电子制造领域中，它的重要性不可忽视，其可靠性和卓越性能为方案工程师、技术人员以及制造企业采购人员提供了极大的便利。二、技术规格参数IRF7811AVTR的技术规格参数展现了其卓越的性能。这款MOS管采用N沟道设计，具备20V的漏源电压（Vdss），可持续提供高达1 ...

2024

02-08

IRF5305STRPBF场效应管参数-IRF5305STRPBFMOS管

一、产品特征IRF5305STRPBF场效应管是电子元件领域的翘楚。其基本特性包括P沟道设计，漏源电压高达60V，连续漏极电流可达35A。在市场上，它以其卓越的性能和可靠性享有盛誉。作为电子元件的核心组成部分，它在各种电路中扮演着不可或缺的角色。二、技术规格参数IRF5305STRPBF参数方面表现出众。作为P沟道MOS管，其漏源电压高达60V，连续漏极电流可达35A，导通电阻在Vgs为10V时仅为48mΩ。这些技术规格赋予它在电源管理和功率放大等方面卓越性能。其功率和导通电阻的平衡使其成为各种电子应用的首选。三、工作原理及应用1 ...

2024

02-08

NTD2955T4G场效应管参数-NTD2955T4GMOS管

一、产品特征NTD295T4G场效应管是电子元件行业备受瞩目的商品。它的基本特点和在市场上地位都显示出它不凡之处。因为其高性能和稳定性，效用管在电子领域占有重要地位。它的重要性不仅体现在商品本身的特点上，更为工程师和技术人员提供了可靠的电子解决方法，为制造企业的顾客带来了高质量挑选。二、技术规格参数NTD2955T4G参数表明了该场效应管的技术亮点。做为P通道MOS管，其具有60V泄露电压、30A持续漏电流、34W功率和10V、在61m的环境中，仅有61mΩ导电阻。这些参数不但体现了它的优异特点，而且为工程师增添了详尽的技术信息，有益于更好地 ...

2024

02-08

BSS308PE场效应管参数-BSS308PEMOS管

一、产品特征BSS308PE场效应管，作为电子元件领域的瑰宝，以其卓越的性能和广泛的应用而闻名。在市场中，它凭借其稳定的P沟道漏源电压、高达30V的连续漏极电流以及卓越的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id为46mΩ@10V,5.6A）等特性，成为方案工程师和技术人员首选的元件之一。其在电子领域的地位无可替代，因其可靠性和卓越性能而被广泛应用于各类电路设计中，是现代电子产品中不可或缺的一部分。二、技术规格参数BSS308PE参数的详细解读是理解其性能的关键。这款MOS管以P沟道漏源电压30V、连续漏极电流5.6A、导通电阻46mΩ@10V, ...

2024

02-08

SI4848DY-T1-E3&-100场效应管参数-SI4848DY-T1-E3&-100MOS管

一、产品特征SI4848DY-T1-E3&-100场效应管作为电子元件中的一项杰出之选，其基本特性在市场上具有显著地位。这款场效应管不仅在电源管理领域表现出众，而且在信号处理、放大电路等多个领域都有着广泛应用。其独特特性使其成为方案工程师和技术人员首选的元件之一。在电子元件领域中，它的重要性不可忽视，它为电路设计提供了可靠而高效的解决方案。二、技术规格参数SI4848DY-T1-E3&-100的技术规格极为出色，N沟道设计赋予了它优异的性能。其漏源电压高达150V，连续漏极电流达到5.4A，功率稳定在5.9W，而导通电阻则在1 ...

2024

02-07

SI2318DS-T1-GE3场效应管参数-SI2318DS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2318DS-T1-GE3场效应管作为电子元件中的璀璨之星，具有引人注目的特性。其市场地位显赫，是方案工程师和技术人员信赖的选择。在电子元件领域中，其扮演着至关重要的角色，其高性能和多功能性，为各类电路设计提供了卓越的解决方案。二、技术规格参数SI2318DS-T1-GE3的技术规格堪称一流，N沟道设计赋予了它卓越的性能。具体而言，它拥有30V的漏源电压、6.5A的连续漏极电流、1.7W的功率，以及在10V,3.2A条件下30mΩ的导通电阻。这些精确的参数使得其在电子元器件领域中脱颖而出，为各种电子设备的设计提供了稳定而高效的 ...

2024

02-07

SI1304BDL场效应管参数-SI1304BDLMOS管

一、产品特征SI1304BDL场效应管是电子领域备受瞩目的一个构成部分，以其非凡的特性在市场中占有重要地位。其基本特点包含高效的N沟设计，为电子设备提供了优异的性能。在电子元件领域，它的重要性不可忽视，它不仅能平稳地给与电流，并且在各种电路中起到主导地位。作为一种场效应管，为电子元器件的设计制造提供了强悍的运用。二、技术规格参数SI1304BDL的技术参数展现了其强大的性能。作为N沟道场效应管，它具备以下关键参数：漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)为4A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为36mΩ@10V,4A。&nb ...

2024

02-07

AO7400场效应管参数-AO7400MOS管

一、产品特征AO7400场效应管是电子元件领域的璀璨明星，以其卓越的性能和广泛的应用而备受推崇。作为一款N沟道场效应管，它不仅具备卓越的基本特性，更在市场上拥有显著的地位。其在电子元件领域中的重要性不可忽视，广泛应用于各种电路设计中，为工程师和制造企业带来了便利。二、技术规格参数AO7400的技术参数展现了其在电子元器件中的卓越性能。采用N沟道设计，漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)可达4A，功率(Pd)高达1.56W。值得注意的是，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为45mΩ@10V,3.7A，显示了其在高功率应用中 ...

2024

02-07

SI4946BEY-T1-E3场效应管参数-SI4946BEY-T1-E3MOS管

一、产品特征SI4946BEY-T1-E3场效应管是电子元件行业备受瞩目的产品。其基本特点包含出色的性能和稳定性，随后在市场中占有重要地位。作为一种先进的场效应管，在电子设计中发挥着至关重要的作用。它广泛应用于各种电路原理中，为工程师和技术人员增添了稳定可靠的解决方法。二、技术规格参数SI4946BEY-T1-E3的技术规格堪称令人瞩目。MOS管采用2个N沟设计，漏源电压60V，持续漏极电流7A，以及28mmΩ@10V里的导通电阻。这类非凡的变量值使其变成电子领域的佼佼者。不论是P沟漏电压或是功率，都表现出令人信服的特性，给工程师产生了一般的 ...

2024

02-07

SI2312DS-T1-GE3场效应管参数-SI2312DS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2312DS-T1-GE3场效应管作为一种前沿电子元件，在电子领域起着重要作用。其本质特征使其在市场中备受瞩目。以其优异的性能和稳定的质量在电子元件行业里提升。在很多地方，方案工程师、技术人员以及制造企业的采购员都会意识到它的独特价值。其稳定性和高度可控性使它变成电子元件设计的首选之一。二、技术规格参数SI2312DS-T1-GE3的技术参数显示了它在电子领域的强大实力。作为一种具备20V漏源电压和6A持续漏极电流N沟场效应管，为电子元件提供了靠谱的前提。在P沟漏电压、功率、导电阻等方面均彰显了出色的功效。对这些参数的详细解释 ...

2024

02-07