技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

IRF7471TRPBF场效应管参数-IRF7471TRPBFMOS管

一、产品特征IRLMS6802TRPBF场效应管作为一款引领潮流的电子元件，其特性可谓独步一时。具备高性能和可靠性，在市场上享有卓越的声誉。其基本特性，如高效能、低功耗和稳定性，使其成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。在电源管理和开关电源领域，它展现出无可比拟的重要性，成为电子元件领域中的佼佼者。二、技术规格参数IRLMS6802TRPBF参数的精妙设计使其在技术领域中脱颖而出。作为一款P沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)高达30V，连续漏极电流(Id)达到4.8A，同时导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为49mΩ@10 ...

2024

02-07

CEA3252场效应管参数-CEA3252MOS管

一、产品特征CEA3252效用管做为电子元件领域的领先者，具有优良的特征和显著的市场地位。其基本特点包含高性能、稳定性和可靠性，变成方案工程师、技术人员以及制造和采购的首选。在电池管理和开关电源行业，它以独特的设计与卓越的性能显现出无可替代的重要性，为电子元件行业注入了新的活力。二、技术规格参数CEA3252的技术规格彰显了其在N沟道场效应管领域的卓越表现。作为一款N沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)高达60V，连续漏极电流(Id)强劲达到6.5A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为36mΩ@4.5V, 6.5A。这些技术参数的卓 ...

2024

02-07

IRLMS6802TRPBF场效应管参数-IRLMS6802TRPBFMOS管

一、产品特征IRF7471TRPBF场效应管作为一款先进的电子元件，在电子领域拥有独特的特性。其基本特性突显在其卓越的性能和广泛的应用领域。市场上，它以其可靠性和高效能性获得了良好的市场地位，成为众多方案工程师和技术人员首选的元件之一。在电源管理、开关电源等领域中，展现出的重要性不可低估，为电子设备的稳定运行提供了有力支持。二、技术规格参数IRF7471TRPBF的技术参数堪称亮点。作为一款N沟道MOS场效应管，其技术规格展现了其在电源管理方面的卓越性能。具体而言，在40V的漏源电压下，能够持续提供高达12A的连续漏极电流。其导通电阻(RDS ...

2024

02-07

AF2301PWLA场效应管参数-AF2301PWLAMOS管

一、产品特征AF2301PWLA场效应管做为电子元件中的一颗明珠，其基本特点在市场中占有重要地位。该场效应管不但在电池管理领域彰显了出色的功效，并且广泛用于信号分析、放大电路等诸多领域。独特的特征使之成为方案工程师和技术人员的优选元素之一。其平稳的市场地位，正是由于其优异的性能，为各类电子产品设计提供了强悍的运用。在电子元件行业，AF2301PWLA场效应管的重要性不言而喻，为电路原理提供了可靠高效解决方案。二、技术规格参数AF2301PWLA的技术规格堪称精湛，P沟设计赋予其出色的性能。走电电压为20V，持续走电电流做到4.5A，为电路原理 ...

2024

02-07

AO4882场效应管参数-AO4882MOS管

一、产品特征AO4882场效应管作为电子元件领域的翘楚，其基本特性的独特之处使其在市场上独树一帜。其高效能、可靠性和出色的性能赋予了它在电子元件领域中不可替代的地位。方案工程师、技术人员以及制造企业采购人员都将其视为首选元件，其在各种应用场景中的稳定表现和卓越品质成为业内的明星产品。二、技术规格参数AO4882的技术规格堪称一流。具备2个N沟道漏源电压高达40V、连续漏极电流可达12A的强大能力。同时，其在导通状态下的电阻仅为10mΩ@10V,12A，表现出卓越的导通性能。这些技术参数的卓越性，使其在电子元件领域中脱颖而出，备受方案工程师和技 ...

2024

02-06

SI2301ADS-T1-GE3场效应管参数-SI2301ADS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2301ADS-T1-GE3场效应管是电子元件领域的瑰宝。其基本特点包含高性能稳定性和出色的市场地位。作为一种先进的场效应管，在各类电子应用中起到主导地位。电池管理、放大仪、开关电路等方面重要性不可忽视。在市场中，因其稳定性和优异性能而获得普遍认可。二、技术规格参数SI2301ADS-T1-GE3参数水准发挥出色。做为P沟漏源MOS管，其具有20V的电压承载力和5A的持续漏极电流。这使得其在各类电路原理里都能表现出出色的功率控制和导通特性。详细讲解了其技术参数，详细分析了P沟走电电压、持续漏电电流、功率以及导电电阻，为用户提供 ...

2024

02-06

IRLML5103TRPBF场效应管参数-IRLML5103TRPBFMOS管

一、产品特征IRLML5103TRPBF场效应管是电子元件领域的瑰宝。其基本特性包括卓越的性能稳定性和在市场上的显著地位。作为一种P沟道MOS管，它在电源管理、功率放大和开关电路等方面发挥着关键作用。市场上，它以其可靠性和卓越性能受到广泛认可。二、技术规格参数IRLML5103TRPBF参数方面表现卓越。作为P沟道MOS管，它具有-30V的电压承受能力和-5.6A的连续漏极电流。其RDS(ON)在不同电压下分别为47mΩ@10V和56mΩ@4.5V，展现了在功率控制和导通特性方面的卓越表现。20Vgs(±V)的工作范围和-1Vth(V)的阈值 ...

2024

02-06

SI2309DS-T1-GE3场效应管参数-SI2309DS-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI2309DS-T1-GE3场效应管，作为电子元件领域的精华，拥有独特的特性，稳健的市场地位以及在电子元件领域中的卓越重要性。其基本特性包括高度可靠性、卓越的性能稳定性，以及在市场上的广泛认可。作为P沟道MOS管，它在电源管理、功率放大和开关电路等方面发挥着关键作用，是方案工程师、技术人员和制造企业采购人员不可或缺的选择。二、技术规格参数SI2309DS-T1-GE3参数方面表现卓越。作为P沟道MOS管，它具有60V的电压承受能力和5.2A的连续漏极电流。其导通电阻在不同电压下为40mΩ@10V，展现了在功率控制和导通特性方面的 ...

2024

02-06

STN3PF06场效应管参数-STN3PF06MOS管

一、产品特征STN3PF06场效应管是电子领域不可或缺的构成部分。其使用性能突显，市场地位突显，广泛应用于各种电子设备中。方案工程师和技术人员常常挑选它，因为他具备出色的特征，能够满足复杂电路的需要。STN3PF06通常是制造企业采购决策的首选，其重要性不可忽视。二、技术规格参数针对STN3PF06的技术参数，这款MOS管表现出强悍的性能。其P沟漏源电压为60V，持续漏极电流可达7A，10V导通电阻为55mΩ，7A环境也能保持在可接受的水准。这一性能参数促进其在电子领域具有广阔的应用前景。STN3PF06参数详细解释揭露了其强大的技术实力。P ...

2024

02-06

IRFR9024NTRPBF场效应管参数-IRFR9024NTRPBFMOS管

一、产品特征IRFR9024NTRPBF场效应管是电子元件行业的重要组成部分。其基本特点进而在市场中具有显著的竞争优势，备受方案工程师、技术人员以及制造企业买家钟爱。这类场效应管不但在性能上发挥出色，并且在各种电子应用中发挥着至关重要的作用，向其在该领域的重要性打下基础。二、技术规格参数IRFR9024NTRPBF的技术参数显现出其强大的特性。做为P沟场效应管，其漏源电压做到60V，持续漏极电流做到30A。实际应用中，其导通电阻在10V电压、30A电流下仅是61mΩ，它显示了它在功率和导通电阻方面的出色表现。这一性能参数促进它在各类电子应用中 ...

2024

02-06