技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

FDS4935BZ-NL&-38场效应管参数-FDS4935BZ-NL&-38MOS管

一、产品特征FDS4935BZ-NL&-38场效应管是电子元件领域的领导者，以独特的特性在市场中占据突显的位置。作为一种P沟道场效应管，它不但性能优越，并且在电子元件领域中发挥着主导作用。其高市场地位源于其在各类电子设备中的作用，为电路原理增添了不凡解决方案。二、技术规格参数FDS4935BZ-NL&-38的技术规格突出了其突出的特点。有两种P沟，漏源电压(Vdss)持续漏极电流为30V(Id)为7.3A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为29mΩ@10V,7.3A。这些参数给工程师产生了一般的设计灵活性，确保了他们在 ...

2024

02-05

AO6801A场效应管参数-AO6801AMOS管

一、产品特征AO6801A场效应管做为电子元件领域的艺术家之一，在市场中拥有独特的特征和非凡的地位。他在电子元件行业的必要性不可小看。以其卓越的性能和灵活的应用成为工程师和技术人员首选的电子元件之一。二、技术规格参数AO6801A的技术规格给工程师一般设计灵活性。这类场效应管有两种P沟，漏源电压(Vdss)20V，持续漏极电流(Id)为3.6A，功率(Pd)1.14W，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为75mΩ@5.5V,2.5A。这些参数的出色表现促进其在各类应用场景中发挥出色表现。三、工作原理及应用1. 工作原理AO6 ...

2024

02-05

AOD444场效应管参数-AOD444MOS管

一、产品特征AOD444场效应管是电子元件领域的重要组成部分，以其优异的性能在市场中占有重要地位。其基本特点包含效率高、稳定性强，主要应用于电子应用。在市场中，以其稳定的性能和广泛应用，获得了方案工程师、技术人员和制造企业顾客的高度认可。二、技术规格参数AOD444的技术参数突出了其强大的特性。做为N沟场效应管，其走电电压(Vdss)做到60V，持续漏极电流(Id)可达18.2A，此外，在10V的情形下，导通电阻(RDS(on))仅是73mΩ。这些参数促进其在大功率、髙压运用中实现出色功效。详细解释了P沟漏电压、持续走电电流、功率、导电阻等关 ...

2024

02-05

SUD50N06-09L-E3场效应管参数-SUD50N06-09L-E3MOS管

一、产品特征SUD50N06-09L-E3场效应管在电子元件领域中扮演着重要的角色。其基本特性和市场地位使其成为许多电子设备的核心组件。作为一款先进的场效应管，它在电源管理、电机控制等领域发挥着独特的作用。其稳定性和高性能使其成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选之一。二、技术规格参数SUD50N06-09L-E3的技术参数展现了其卓越的性能。作为N沟道场效应管，其漏源电压高达60V，连续漏极电流可达50A，而导通电阻仅为10mΩ@10V。这些参数保证了其在高功率、高频率应用中的卓越表现。这款MOS管的性能参数满足了各种电子电路对功率 ...

2024

02-05

SI2343CDS-T1-GE3场效应管参数-SI2343CDS-T1-GE3MOS管

一、产品特征在电子元件领域中，SI2343CDS-T1-GE3场效应管展现出令人瞩目的特性。作为一款P沟道MOS管，其基本特性使其在市场上占据重要地位。它的卓越表现不仅受到方案工程师和技术人员的关注，更是制造企业采购的首选。其市场地位得益于其稳定性、可靠性以及在电源管理和信号放大等领域的广泛应用。二、技术规格参数SI2343CDS-T1-GE3参数展现了其在电子领域中的强大实力。作为一款P沟道场效应管，其技术规格包括：-30V的漏极电压，-5.6A的连续漏极电流，RDS(ON)分别为47mΩ@10V和56mΩ@4.5V。具备20Vgs的可控制 ...

2024

02-02

IRLR2905TRPBF场效应管参数-IRLR2905TRPBFMOS管

一、产品特征IRLR2905TRPBF场效应管是电子元件领域中的一颗明星。其基本特性使得其在市场上独具竞争力，成为众多方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选之一。作为一款N沟道MOS管，它展现了在电源管理、功率放大器和开关电路等领域的卓越性能，为电子元件领域注入了活力。二、技术规格参数IRLR2905TRPBF参数精妙设计，具备N沟道漏源电压(Vdss)为60V，连续漏极电流(Id)为35A。这些技术规格赋予了它广泛的应用性。其高漏源电压和大电流容量使其在电源管理系统中表现卓越。同时，其稳定的技术参数为方案工程师和技术人员提供了更多的创新 ...

2024

02-02

SI4599DY-T1-GE3场效应管参数-SI4599DY-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI4599DY-T1-GE3场效应管是电子元件领域中一款备受瞩目的产品。其基本特性集市场地位和重要性于一身。作为一种先进的MOS管，其不仅在电源管理、放大器和开关电路等方面表现出色，而且其卓越的性能使其在电子元件领域中占据重要地位。市场上的认可和用户的好评证明了SI4599DY-T1-GE3场效应管的卓越之处。这一产品的关键特性为其在不同应用场景下的出色表现，为方案工程师、技术人员以及制造企业采购提供了可靠的解决方案。二、技术规格参数SI4599DY-T1-GE3参数详解：该MOS管拥有1个N沟道和1个P沟道，漏源电压（Vdss ...

2024

02-02

IXTP98N075T场效应管参数-IXTP98N075TMOS管

一、产品特征在电子元件领域中，IXTP98N075T场效应管以其卓越的特性和可靠性赢得了市场地位。其特性包括高性能N沟道设计，提供80V的漏源电压、80A的连续漏极电流，以及在10V下的6.5mΩ的导通电阻。这使得其成为电子领域中备受瞩目的关键元件之一。二、技术规格参数IXTP98N075T的技术规格是其引领市场的原因之一。作为N沟道场效应管，它在80V的漏源电压下能够持续承载高达80A的电流。其独特之处在于在10V的门源电压下，导通电阻仅为6.5mΩ，保证了在高功率应用中的高效能量传输。这些技术参数使得其在电子设计中成为首选之一。 ...

2024

02-02

IRF3710PBF场效应管参数-IRF3710PBFMOS管

一、产品特征IRF3710PBF场效应管是电子元件领域的一颗璀璨明珠。以其出色的特性在市场中占据着重要地位。其高性能、可靠性和灵活性使其成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。在电子元件领域中，它以其卓越的表现和可广泛适用性，为各类电子设备提供了可靠的支持。二、技术规格参数IRF3710PBF是一款N沟道场效应管，具有100V的漏源电压和70A的连续漏极电流。其导通电阻(RDS(ON))在10V时为17mΩ。20V的最大栅源电压(±V)和3.7V的阈值电压(Vth)显示了其卓越的性能。采用TO220封装，确保了产品的稳定性和可靠性。详 ...

2024

02-02

FQP47P06场效应管参数-FQP47P06MOS管

一、产品特征FQP47P06场效应管做为电子领域的明星产品，以独特的特性在市场中占有重要地位。其优异的性能和稳定的品质之后在各种电子元件中兴起。它的市场地位不仅是技术获胜，更是达到方案工程师、技术人员和制造企业采购需求的理想选择。它以其靠谱性和灵活性，为顾客提供全方位解决方案。二、技术规格参数FQP47P06是一款P沟道场效应管，具有-60V的漏源电压和-50A的连续漏极电流。其导通电阻(RDS(ON))在10V时为19mΩ，在4.5V时为26mΩ。此外，20V的栅源电压(±V)和-1.96V的阈值电压(Vth)进一步彰显了其卓越性能。封装采 ...

2024

02-02