技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

IRLR3110ZPBF场效应管参数-IRLR3110ZPBFMOS管

一、产品特征IRLR3110ZPBF场效应管是电子元件行业的重要组成部分，以独特的特性在市场中占有重要地位。其基本特点包含性能稳定、出色的性能和广泛适用性。在电子元件行业，它的重要性不可忽视，尤其受到方案工程师、技术人员和制造企业买家欢迎。二、技术规格参数IRLR3110ZPBF作为一种N通道场效应管，其性能参数显示了其卓越的性能。10V泄露电压、85A持续漏电流和10V电压导通电阻仅是7.5mΩ。该性能参数促进它在功率和导通电阻方面发挥出色功效，为各类电子应用提供了可靠的运用。三、工作原理及应用1. 工作原理IRLR3110ZP ...

2024

02-06

IRF7401TRPBF场效应管参数-IRF7401TRPBFMOS管

一、产品特征IRF7401TRPBF场效应管是电子元件行业的重要组成部分，以独特的特性在市场中占有重要地位。其基本特点包含性能稳定、出色的性能和广泛适用性。在电子元件行业，t啊的重要性不可忽视，尤其受到方案工程师、技术人员和制造企业买家欢迎。二、技术规格参数IRF7401TRPBF作为一种N通道场效应管，其性能参数显示了其出色的性能。10V电压里的30V泄露电压、13A持续漏电流和导电电阻仅是8mΩ。这一性能参数促进其在功率和导通电阻方面发挥出色功效，为各类电子应用提供了可靠的运用。三、工作原理及应用1. 工作原理IRF7401T ...

2024

02-06

BSP296场效应管参数-BSP296MOS管

一、产品特征BSP296场效应管做为电子元件领域的重要组成部分，拥有独特的特性，为方案工程师、技术人员以及制造和采购增添了出色的挑选。其基本特点在市场中占有重要地位，支持各种电子产品的性能。它的重要性在于其先进技术和稳定的特性，变成电子元件行业不可或缺的一部分。二、技术规格参数在BSP296参数方面，MOS管N沟设计在漏源电压、持续漏极电流、导通电阻等方面表现不凡。从总体上，它在Vdss(漏源电压)中完成了100V、Id当(持续漏极电流)为5A时，其RDS(on)Vgs为10VV(导通电阻)、在5A中，ID为100mmΩ。这类精彩的性能参数设 ...

2024

02-06

FDC5614P场效应管参数-FDC5614PMOS管

一、产品特征FDC5614P场效应管是电子元件行业的一颗璀璨之星。其基本特点包含效率高、性能稳定、性能优越，在市场中享有很高的声誉。作为一种高质量场效应管，在电子元件领域中发挥着不可或缺的作用。他在各种应用场景中具备稳定的状态和卓越的品质，变成方案工程师、技术人员以及制造和采购的首选。二、技术规格参数FDC5614P的技术规格堪称一流。P沟漏源电压高达60V、持续漏极电流可达6.5A的强大水准。同时，其导通状态中的电阻仅是50mmΩ@10V,6.5A，表现出出色的导通特性。这一技术参数的优点使它打破了电子元件领域，备受方案工程师和技术人员的亲 ...

2024

02-06

AO3401场效应管参数-AO3401MOS管

一、产品特征AO3401场效应管做为电子元件行业的重要组成部分，其基本特点和市场地位已成为很多处理方案工程师、技术人员以及制造和采购的首选。独特的性能可靠性在市场中设立了明显的地位，为各类电子产品设计提供了强大的运用。二、技术规格参数AO3401场效应管的技术参数显示了其优异的性能。做为P沟道场效应管，其漏源电压高达30V，持续漏极电流可达5.4A，功率为1.25W，而导通电阻仅是55mΩ@10V, 4.4A。这些参数促进其在电池管理和电子控制行业发挥出色功效。详细解释这一性能参数，我们能更好的了解他在各种电路中的运用。三、工作原理及应用1. ...

2024

02-05

NDT456P场效应管参数-NDT456PMOS管

一、产品特征NDT456P场效应管作为电子元件领域的关键组件，其基本特性和市场地位使其成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。其独特的性能在市场中树立了显著的地位，为各类电子设备的设计提供了强大的支持。二、技术规格参数NDT456P场效应管的技术参数展示了其卓越的性能。作为P沟道场效应管，其漏源电压高达35V，连续漏极电流可达6.2A，功率达4.2W，而导通电阻仅为40mΩ@10V, 5A。这些参数使得其在电源管理和电子控制领域中表现卓越。详细解读这些技术参数，我们能更好地理解其在各种电路中的应用。三、工作原理及应用1. ...

2024

02-05

2SJ518场效应管参数-2SJ518MOS管

一、产品特征2SJ518场效应管是一款在电子元件领域中备受瞩目的产品。其基本特性包括高性能的P沟道漏源电压（Vdss）达到60V，持续漏极电流（Id）为4.8A，功率（Pd）可达2.1W，而导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）在10V时为58mΩ，3A。市场上，2SJ518以其稳定性和可靠性享有良好的市场地位，被广泛应用于各种电子设备中。二、技术规格参数2SJ518的技术参数为P沟道漏源电压（Vdss）60V，连续漏极电流（Id）4.8A，功率（Pd）2.1W，导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）在10V时为58mΩ，3A。这些参数直 ...

2024

02-05

Si2342DS-T1-GE3场效应管参数-Si2342DS-T1-GE3MOS管

一、产品特征Si2342DS-T1-GE3场效应管是电子元件领域的瑰宝。其独特的特性使得它在市场中占有重要地位。简言之，展现出卓越的性能，广泛应用于各种电子领域。其基本特性和市场地位使得这款场效应管备受方案工程师、技术人员和制造企业采购的青睐。二、技术规格参数Si2342DS-T1-GE3的技术参数堪称令人惊叹。作为一款N沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)达到20V，连续漏极电流(Id)高达6A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)更是仅为28mΩ@4.5V。这些参数使得其在各种电路设计中都具备出色的性能，为工程师们提供了广阔的创新空间 ...

2024

02-05

XP161A11A1PR场效应管参数-XP161A11A1PRMOS管

一、产品特征XP161A11A1PR场效应管，是电子元件领域的瑰宝。其卓越的特性使其在市场中占有重要地位。简而言之，它展现出卓越的性能，广泛应用于各种电子领域。其基本特性和市场地位使得这款场效应管备受方案工程师、技术人员和制造企业采购的青睐。二、技术规格参数XP161A11A1PR的技术参数令人瞩目。作为一款N沟道场效应管，其漏源电压(Vdss)高达30V，连续漏极电流(Id)强劲达到6.8A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)更是仅为22mΩ@4.5V,6.8A。这些参数使得其在各种电路设计中都表现出色，为工程师们提供了广阔的创新空间 ...

2024

02-05

IRFL210TRPBF场效应管参数-IRFL210TRPBFMOS管

一、产品特征IRFL210TRPBF场效应管是电子元件行业的一颗璀璨明星。其基本特点进而在市场中占有重要地位。做为N沟场效应管，他在电子元件领域中发挥着主导作用。其出色的性能和稳定性在各类电路中得到广泛应用。它的市场地位不仅体现在其不凡技术水平上，更体现在其实际应用中的稳定性和效率上。二、技术规格参数IRFL210TRPBF的技术规格让人印象深刻。具备N沟漏源电压(Vdss)为200V、持续漏极电流(Id)1A以及导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为1.2Ω@10V,1A。这些参数决定了其在电路原理中的稳定性和适用性。尤其值得关注的是， ...

2024

02-05