技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

IRFZ48RSP场效应管参数-IRFZ48RSPMOS管

一、产品特征IRFZ48RSP场效应管做为电子元件领域的真谛，拥有独特的特性，成为市场的支撑。其优异的性能和稳定的品质被广泛应用于各种电子设备中，为制造企业和技术人员提供了可靠的解决方法。它的市场地位不可忽视，其优异的性能在复杂的电子元件中发挥出色，给工程师和生产商带来了更多概率。二、技术规格参数IRFZ48RSP的技术规格令人瞩目。作为N沟道场效应管，它具有60V的漏源电压、60A的连续漏极电流，以及在10V电压和60A电流下的12mΩ导通电阻。这些参数的卓越表现使其在电子领域中脱颖而出。详细解读这些技术参数将有助于方案工程师和技术人员更好 ...

2024

02-02

FQP30N06L场效应管参数-FQP30N06LMOS管

一、产品特征FQP30N06L场效应管是电子领域的重要组成部分。其基本特点突出了优秀的技术水准，突显的市场地位，为电子元件领域注入了新的活力。其做为MOS管重要代表，在各类电子设备中发挥着至关重要的作用。其性能稳定和优越性能在市场上获得了良好的声誉，为方案工程师、技术人员以及制造企业顾客增添了出色的挑选。因其优异的性能和稳定的特性，该效用管为电子元器件的研发和生产带来了极强的运用。二、技术规格参数FQP30N06L的关键技术参数为N沟道漏源电压60V，连续漏极电流50A，导通电阻在10V、50A条件下为24mΩ。这些技术规格使得其在电子行业中 ...

2024

02-02

IRF530NS场效应管参数-IRF530NSMOS管

一、产品特征IRF530NS场效应管，作为电子领域的重要组成部分，具有独特的特性和市场地位。其基本特性在于高效的N沟道漏源电压（Vdss）为100V，持续漏极电流（Id）可达20A，而在10V时的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）仅为100mΩ。IRF530NS在市场上的地位不可忽视，它在电子元件领域中扮演着重要的角色，广泛应用于各种电路设计。二、技术规格参数IRF530NS参数的详细解读是为了更好地理解其性能。该MOS管采用N沟道设计，具有100V的漏源电压、20A的连续漏极电流。在10V时，其导通电阻为仅有100mΩ，表现出色。这些 ...

2024

02-02

IRF9530NS场效应管参数-IRF9530NSMOS管

一、产品特征IRF9530NS场效应管是一款在电子元件领域中备受瞩目的产品。其基本特性突出，市场地位显著，为方案工程师、技术人员以及制造企业采购提供了卓越的选择。其凭借其卓越性能在市场上稳占一席之地，成为业界备受推崇的电子元件之一。其在电子元器件中的重要性不可忽视，为各类电子设备的稳定性和性能提供了关键支持。二、技术规格参数IRF9530NS的技术规格参数展示了其强大的性能。这款MOS管具有P沟道漏源电压(Vdss)高达100V，连续漏极电流(Id)为10A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)仅为230mΩ@10V,10A。这些卓越的参 ...

2024

02-02

IRF9530NPBF场效应管参数-IRF9530NPBFMOS管

一、产品特征IRF9530NPBF场效应管是电子元件领域备受瞩目的产品。其基本特点包含性能高、稳定性强、关键技术优秀。在市场中，它因其卓越的品质和性能一直占据着重要地位。做为方案工程师、技术人员和制造企业的顾客，把握它的这些特性至关重要，因为他直接关系到电子元件实际应用中表现。该场效应管在电池管理、功率放大等方面发挥着主导地位，为许多电子工程师提供了强悍的工具。二、技术规格参数IRF9530NPBF场效应管的技术参数堪称令人瞩目。具体而言，它采用P沟道设计，漏源电压(Vdss)达到100V，连续漏极电流(Id)高达18A。这款MOS管在导通状 ...

2024

02-01

SI4405DY-T1-GE3场效应管参数-SI4405DY-T1-GE3MOS管

一、产品特征SI4405DY-T1-GE3场效应管作为电子元件领域的璀璨明星，以其卓越的产品特性和市场地位脱颖而出。在电子元件的众多选择中，它以其独特的性能在市场上占据重要地位。具备高度稳定的电气性能和卓越的可靠性，它在电子元件领域中扮演着不可或缺的角色。方案工程师、技术人员以及制造企业采购人员都将SI4405DY-T1-GE3视为首选之一，其在各种电子应用中的广泛应用彰显了其在行业中的重要性。二、技术规格参数SI4405DY-T1-GE3参数展示了这款P沟道场效应管的卓越技术实力。作为一款性能优越的MOS管，它的技术规格显著，拥有P沟道设计 ...

2024

02-01

IRF7342TRPBF效应管参数-IRF7342TRPBFMOS管

一、产品特征IRF7342TRPBF场效应管做为电子元件行业的明星产品，其基本特点和市场地位在行业内独树一帜。它具有优良的电气特性和稳定工作特性，在市场中享有盛名。IRF7342TRPBF场效应管做为方案工程师、技术人员以及制造企业买家优选之一，在电子元件行业中发挥着不可替代的作用。其高品质、高性能的特性，使之成为电子元件设计的理想选择，为各类应用提供了极佳的运用。二、技术规格参数IRF7342TRPBF参数展示了这款MOS管强大的电气性能。拥有2个P沟道的设计，漏源电压(Vdss)高达60V，连续漏极电流(Id)达到5.3A。这一系列技术规 ...

2024

02-01

RTR020P02场效应管参数-RTR020P02MOS管

一、产品特征RTR020P02场效应管以其卓越的特性和先进技术，成为方案工程师、技术人员和制造企业采购的不二之选。其在电子元件领域的关键地位不仅体现在技术层面，更在于其在实际应用中所展现出的可靠性和灵活性。它开启智能科技之门，为未来的技术发展铺平了道路。二、技术规格参数RTR020P02场效应管的技术参数令人瞩目。具备P沟道设计，漏源电压为20V，连续漏极电流为5A，功率达2.5W，导通电阻在Vgs为10V、Id为5.1A时为35mΩ。这些优越的参数使其在电子领域中脱颖而出。在市场上占据一席之地，其性能稳定可靠，成为众多项目的首选。 ...

2024

02-01

AO4812场效应管参数-AO4812MOS管

一、产品特征AO4812场效应管，做为电子元件领域的佼佼者，以其优异的性能和广泛应用而备受关注。该效用管在市场中占有重要地位，不但以其尖端科技而获得认可，并且因其在电子元件领域的关键地位。它以独特的设计和稳定性，变成方案工程师、技术人员和制造购置的首选之一。在电子元件领域，其优异的性能为各类项目提供了强有力的运用。二、技术规格参数AO4812参数展示了其卓越的技术规格，为其在各种应用场景中的卓越性能奠定了基础。这款2个N沟道场效应管具有30V的漏源电压、连续漏极电流达到6.2A，以及1.78W的功率。尤其值得注意的是其导通电阻，在10V、5A ...

2024

02-01

SI7483ADP场效应管参数-SI7483ADPMOS管

一、产品特征SI7483ADP场效应管做为电子元件领域的瑰宝，因其优异的性能和广泛应用而著称。其基本特点不仅包括出色的技术创新，并且在市场中占有重要地位。该场效应管不但在电子元件领域占据普遍市场占比，并且在各种电路中发挥着主导作用。其以独特的设计和稳定性，变成工程师和技术人员不可缺少的挑选。其重要性在电子元件领域不可低估，是推动科技创新的关键动能。二、技术规格参数SI7483ADP参数展示了其卓越的技术规格，为其在各种应用场景中的卓越性能奠定了基础。这款P沟道场效应管具有30V的漏源电压、连续漏极电流达到120A，以及110W的功率。特别值得 ...

2024

02-01