技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

SI4835DDY-T1-E3场效应管参数-SI4835DDY-T1-E3MOS管

一、产品特征SI4835DDY-T1-E3场效应管，做为电子元件领域的杰出代表，融入了非凡的特性。它在市场上具有优良的地位，主要得益于其可以信赖、特点出色的特性。在电子元件领域，它的重要性不可忽视，为方案工程师、技术人员以及制造企业顾客提供了可靠的挑选。其基本特点不仅满足了当前的市场要求，并且在电子元件的发展中发挥着主导地位。二、技术规格参数SI4835DDY-T1-E3参数突出了其在电子领域的强大特性。采用P沟设计，走电电压(Vdss)做到30V，持续漏极电流(Id)强大保证11.6A。这一系列参数的精准配备，使它在同类产品中出类拔萃。详细 ...

2024

01-31

SPP9435AS8RG场效应管参数-SPP9435AS8RGMOS管

一、产品特征做为电子元件领域的璀璨之星，SPP9435AS8RG场效应管具有优良的特性。其优越的性能不但在市场中占据优异的地位，并且在电子元件领域也起着重要作用。该场效应管以其可以信赖、绿色环保的特征，备受方案工程师、技术人员以及制造企业业务员的喜欢。其基本特点不仅满足了当前的市场要求，而且为电子元件的发展提供了有力的运用。二、技术规格参数对SPP9435AS8RG参数详细解读是充分了解场效应管的关键。采用P沟设计，其走电电压(Vdss)30V，持续漏极电流(Id)做到5.8A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)更是仅是42mΩ@10V ...

2024

01-31

STD12NF06T4场效应管参数-STD12NF06T4MOS管

一、产品特征STD12NF06T4场效应管是电子元件领域的一颗明星产品。其基本特性突出，市场地位显赫。作为一款N沟道场效应管，它在电子元件领域中扮演着举足轻重的角色。其高度稳定的性能和可靠性使得它备受市场追捧，成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。二、技术规格参数STD12NF06T4参数的详细解读是深入了解该场效应管的关键。这款N沟道场效应管的技术规格令人瞩目，其漏源电压高达60V，连续漏极电流可达18.2A，导通电阻在10V时仅为73mΩ。这些技术参数不仅彰显了它的卓越性能，同时也为方案工程师提供了更多灵活性，以满足各种电子元件 ...

2024

01-31

SUD50P04-13L-E3场效应管参数-SUD50P04-13L-E3MOS管

一、产品特征SUD50P04-13L-E3场效应管作为电子元件的重要组成部分，其基本特性至关重要。这款场效应管不仅具备出色的电气性能，而且在市场上享有卓越的地位。其在电子元件领域中的重要性不可忽视。SUD50P04-13L-E3场效应管凭借其稳定性和可靠性，成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。二、技术规格参数深入了解SUD50P04-13L-E3的技术规格是理解其性能的关键。这款P沟道场效应管具有卓越的参数，如40V的漏源电压、50A的连续漏极电流等。这些关键参数直接影响到电路设计和性能选择。三、工作原理及应用1. 工 ...

2024

01-31

SSM3J332R场效应管参数-SSM3J332RMOS管

一、产品特征SSM3J332R场效应管，作为电子领域的重要组成部分，拥有一系列突出的产品特征。其独特设计和卓越性能使其在市场中占据重要地位。它在电子元件领域中的重要性不可忽视，为方案工程师、技术人员和制造企业采购提供了卓越的选择。二、技术规格参数MOS管相关参数如下：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.6A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,4.4A。这些参数构成了它的技术基础，P沟道设计使其在电源管理等方面具有卓越性能。详细解读这些技术参数，有助于专业人 ...

2024

01-31

AO3407场效应管参数-AO3407MOS管

一、产品特征AO3407场效应管以其独特的特性在电子元件领域中占据着重要的地位。这款场效应管不仅拥有P沟道设计，漏源电压高达30V，连续漏极电流可达5.4A，而且功率达到1.25W，导通电阻在10V、4.4A条件下仅为55mΩ。它在市场上的地位备受认可，其基本特性使其成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选之一。在电子元件领域中，其重要性无法忽视，它的稳定性和高性能为各种电子设备的设计提供了强大的支持。二、技术规格参数AO3407的技术规格参数展示了其在P沟道设计中的卓越性能。这款场效应管具有30V的漏源电压、5.4A的连续漏极电流，1 ...

2024

01-31

FDD8896场效应管参数-FDD8896MOS管

一、产品特征FDD8896场效应管在电子元件领域因其优异的性能和多用途特性赢得了市场的普遍认可。作为一种前沿部件，在各类电子产品上是至关重要的。其基本特点包含前沿N沟设计，走电电压高达30V、持续漏极电流可达100A等，从而在电子领域处于领先地位。FDD8896场效应管作为行业的重要组成部分，在电子元件中起着重要的作用。不仅如此，他在各种应用场景中都彰显了优异的功效，为电子商品的稳定性和特性带来了极强的运用。二、技术规格参数FDD8896的技术规格参数是效用管备受瞩目的重要构成部分。它的漏源电压高达30V，持续漏极电流可达100A，导通电阻( ...

2024

01-31

IRLR2705TRPBF场效应管参数-IRLR2705TRPBFMOS管

一、产品特征IRLR2705TRPBF场效应管以其卓越的特性在市场中占据重要地位。作为电子元件领域的中坚力量，它的基本特性和性能优越性使其备受方案工程师、技术人员以及制造企业采购的青睐。在电子元件领域的重要性不言而喻，在市场上扮演着不可或缺的角色。二、技术规格参数IRLR2705TRPBF是一款N沟道场效应管，具有60V的漏源电压和35A的连续漏极电流。其导通电阻在Vgs为10V、Id为35A时仅为25mΩ，显示了其卓越的性能。详细解读它的技术参数，有助于工程师和技术人员更好地了解其在不同应用场景中的潜力，为设计提供有力支持。三、 ...

2024

01-31

FDC637AN场效应管参数-FDC637ANMOS管

一、产品特征FDC637AN场效应管，是电子元件领域的翘楚。其基本特性独具魅力，市场地位卓越。作为N沟道场效应管，在电子元件领域中占据着重要地位。其高性能、可靠性以及广泛的应用领域使得其备受方案工程师、技术人员和制造企业采购的青睐。二、技术规格参数FDC637AN的技术规格参数令人瞩目。作为N沟道漏源电压30V、连续漏极电流6A的MOS管，它展现了卓越的导通电阻(RDS(on))特性，为30mΩ@10V,6A。这些技术参数的出色表现，使其在电源管理、功率控制等领域具有出众的性能。无论是P沟道漏源电压还是功率特性，它都表现出令人信服的卓越性能。 ...

2024

01-30

CEU6336场效应管参数-CEU6336MOS管

一、产品特征CEU6336场效应管，是电子元件领域的一颗璀璨明珠。其基本特性独特而引人注目，市场地位显赫。作为一款N沟道场效应管，在电子元件领域中扮演着至关重要的角色。其高性能、可靠性以及广泛的应用领域使得它成为方案工程师、技术人员和制造企业采购的首选之一。二、技术规格参数CEU6336的技术规格参数让人印象深刻。作为N沟道漏源电压60V、连续漏极电流35A的MOS管，它展现出色的导通电阻(RDS(on))特性，为25mΩ@10V,35A。这些技术参数的卓越表现，使它在电源管理、功率控制等领域具备了卓越的性能。无论是P沟道漏源电压还是功率特性 ...

2024

01-30