技术文章 - 深圳市兆信半导体有限公司

IRLR3636TRPBF场效应管参数-IRLR3636TRPBFMOS管

一、产品特征在电子元件领域中，IRLR3636TRPBF场效应管独树一帜，以其卓越的特性和市场地位成为方案工程师、技术人员和制造企业采购的首选。该场效应管以其N沟道设计，为各种电子应用提供了稳定而高效的解决方案。其基本特性使其在市场中脱颖而出，广泛应用于电源管理、电机控制等领域，成为电子元器件领域的佼佼者。二、技术规格参数IRLR3636TRPBF的技术规格可谓令人瞩目。N沟道漏源电压高达60V，连续漏极电流强劲达到97A，功率表现卓越，可达到97W。导通电阻方面同样优异，@Vgs,Id为10V,97A时仅为6.3mΩ。这一系列的技术参数使得 ...

2024

01-29

APM9435KC场效应管参数-APM9435KCMOS管

一、产品特征APM9435KC场效应管以其卓越的性能在市场上占据重要地位。这款场效应管具备强大的P沟道设计，为电子元件领域带来了全新的解决方案。其基本特性使得在电子设备中能够发挥卓越作用。市场上，因其高度集成和稳定性备受方案工程师、技术人员和制造企业采购人员的推崇。其在电子元件领域中的重要性不仅表现在高性能上，更体现在其在电源管理、放大器设计等领域的广泛应用。二、技术规格参数APM9435KC的技术规格堪称令人瞩目。P沟道漏源电压达到30V，连续漏极电流高达5.8A，导通电阻方面更是表现出色，@Vgs,Id为10V,5.8A时仅为42mΩ。这 ...

2024

01-29

SI4431CDY-T1-E3场效应管参数-SI4431CDY-T1-E3MOS管

一、产品特征SI4431CDY-T1-E3场效应管做为电子元件领域的明星产品，其基本特点在市场中占有重要地位。这类场效应管以其出色的性能和可靠性而才华横溢。其P沟设计在电子元件的使用范围内彰显了突显功效，广泛应用于各种电路中。它的市场地位不仅体现在其高度集成的特征上，更体现在它在电池管理、放大仪以及开关电源等领域的出色表现上。SI4431CDY-T1-E3场效应管做为方案工程师和技术人员的优选，不但改善了设计流程，并且提升了全部电子系统的性能。这使之成为制造购置的首选之一，推动了电子领域的技术发展。二、技术规格参数SI4431CDY-T1-E ...

2024

01-29

AOD417场效应管参数-AOD417MOS管

一、产品特征AOD417场效应管作为电子元件领域中的重要角色，具备一系列独特特性，市场地位突出。其基本特性包括先进的P沟道技术，市场地位崭露头角，成为电子元件领域备受瞩目的产品。它的重要性体现在其在电源管理、电源逆变器、电机控制等领域的广泛应用。无论是性能卓越还是市场需求，它都是电子元器件中的翘楚。二、技术规格参数AOD417的技术规格展现了其强大性能。采用P沟道漏源电压技术，Vdss高达30V，连续漏极电流高达40A，导通电阻低至18mΩ@10V,40A。这些参数不仅彰显了它在高电压、大电流环境下的稳定性，也奠定了其在电子领域的技术优势。A ...

2024

01-29

SI4953ADY-T1-E3场效应管参数-SI4953ADY-T1-E3MOS管

一、产品特征SI4953ADY-T1-E3场效应管是电子元件领域中的明星产品，以其卓越的特性在市场中占据重要地位。具有高性能和可靠性的特征使其在各类电子应用中备受青睐。其独特的市场地位体现在其稳定性和广泛应用领域，为工程师提供了强大的设计支持。在电源管理、功率放大等方面发挥着重要作用，成为方案工程师、技术人员以及制造企业采购的首选。二、技术规格参数SI4953ADY-T1-E3的技术规格让人印象深刻。作为一款具有2个P沟道的MOS场效应管，它展现出出色的性能。漏源电压（Vdss：30V）的高稳定性，连续漏极电流（Id：7.3A）的强大输出能力 ...

2024

01-29

TPC8107场效应管参数-TPC8107MOS管

一、产品特征TPC8107场效应管作为电子元件领域的重要组成部分，拥有一系列引人注目的特性。其市场地位显著，凭借出色的P沟道漏源电压（Vdss：30V）和连续漏极电流（Id：13.5A），在市场中占据突出地位。它的独特之处不仅体现在其技术性能上，更彰显在其在电子元器件领域中的关键作用。二、技术规格参数TPC8107的技术规格参数揭示了其在P沟道MOS管领域的卓越性能。P沟道漏源电压（Vdss：30V）以及导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id：11mΩ@10V,13.5A）等参数均处于领先水平。详细解读这些技术参数，包括连续漏极电流和功率，有 ...

2024

01-29

PMN50XP场效应管参数-PMN50XPMOS管

一、产品特征PMN50XP场效应管作为电子元件领域的一项重要产品，具备着独特的特性。其优异的P沟道漏源电压（Vdss：30V）和连续漏极电流（Id：4.8A）使得其在市场中拥有显著的竞争优势。他的市场地位凸显其在电子元件领域中的重要性，为方案工程师、技术人员以及制造企业采购提供了强大的支持。在众多电子元器件中，他以其卓越的性能成为备受青睐的选择，为电子设备的稳定运行提供了坚实的基础。二、技术规格参数PMN50XP场效应管的技术规格参数展现出其在P沟道MOS管领域的卓越性能。拥有30V的漏源电压和4.8A的连续漏极电流，它不仅适用于多种电路设计 ...

2024

01-29

AO4405场效应管参数-AO4405MOS管

一、产品特征AO4405场效应管是电子元件领域的一颗璀璨明珠。做为P沟MOS管，其基本特点显现出极高的走电电压和连续的走电电流，为电子元件提供了可靠的功率运用。他在市场上地位不可忽视，广泛应用于各种电子设备中，为工程师和技术人员提供了强大的工具。在电子元件行业，他的重要性不仅体现在其高性能上，更体现在其稳定性和可靠性上，成为很多制造和采购的首选之一。因其出色的特性，AO4405场效应管为电子领域的发展赋予强大的动力。二、技术规格参数AO4405的技术规格参数显示了它在P沟MOS管领域的出色表现。具备30V漏源电压和5.8A持续漏极电流，不但能 ...

2024

01-29

IRF4905PBF场效应管参数-IRF4905PBFMOS管

一、产品特征IRF4905PBF场效应管是电子元件领域的重要组成部分。其基本特性包括P沟道设计，漏源电压高达60V，连续漏极电流可达53A。在市场上，以其可靠性和卓越性能享有卓越的声誉。作为电子元件的关键组件，它在各种电路中发挥着不可替代的作用。二、技术规格参数IRF4905PBF参数方面表现出色。作为P沟道MOS管，其漏源电压高达60V，连续漏极电流可达53A，导通电阻在Vgs为10V，Id为53A时仅为19mΩ。这些技术规格使它在电源管理和功率放大等领域成为首选。其卓越的功率性能为各种电子应用提供了强大的支持。三、工作原理及应 ...

2024

01-27

IRFR540ZPBF场效应管参数-IRFR540ZPBFMOS管

一、产品特征IRFR540ZPBF场效应管是一款在电子元件领域备受瞩目的产品。其基本特性包括出色的N沟道设计，漏源电压高达100V，连续漏极电流可达40A。在市场上，它以其可靠性和卓越性能享有良好的声誉。作为电子元件的重要组成部分，它在各种电路中发挥着关键作用。二、技术规格参数IRFR540ZPBF参数方面表现卓越。作为N沟道MOS管，其漏源电压高达100V，连续漏极电流可达40A，具有卓越的功率性能。导通电阻在Vgs为10V，Id为40A时仅为30mΩ，确保了电路的高效运行。这些技术规格使其成为众多电子工程中的首选元件。三、工作 ...

2024

01-27